HV8：Freescale新一代LDMOS射频功率晶体管
产品特性：
- 产品功率水平将在100W至300W之间
- 覆盖了700 MHz至2.7 GHz范围的主要频带
- HV8提供58.0 dBm (630W) 的峰值功率、16.3 dB的增益
- 42.5%的漏极效率
- 良好的宽带线性
应用范围：
- 满足W-CDMA和WiMAX等高数据速率应用
- 符合LTE和多载波GSM等新兴标准的严苛要求
飞思卡尔半导体近日推出其下一代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）射频功率晶体管，以满足蜂窝发射器降低功耗的迫切需求。
飞思卡尔的第八代高压 （HV8）射频功率 LDMOS 技术沿袭了公司一贯领先的射频功率晶体管技术，专门用来满足W-CDMA和WiMAX等高数据速率应用以及LTE和多载波GSM等新兴标准的严苛要求。基于HV8技术的系列器件针对先进功率放大器架构中的运行做了优化，包括与数字预失真（DPD）结合使用的Doherty。
飞思卡尔HV8技术的首要优势是提高了运行效率，这样就帮助降低了基站系统的总功耗，进而降低了运营成本。此外，HV8还能够适应先进系统架构的更严苛的操作环境要求。
最初几款产品的功率水平将在100W至300W之间。此外，HV8产品还能够利用并扩大飞思卡尔的低成本模压封装系列，具有极高的价值，覆盖了700 MHz至2.7 GHz范围的主要频带。
针对900 MHz频带内的运行做了优化的晶体管有望率先从HV8 射频功率 LDMOS技术中受益，以有效满足多载波GSM系统的严苛要求。Doherty参考设计专门针对MC-GSM市场做了优化，显示出出色的效率和DPD校正性能，即使是在一些最严格的信号配置条件下。
HV8 性能
作为HV8性能的一个示例，采用双MRF8S9260HHS晶体管的对称Doherty参考设计（针对多载波GSM应用）能够提供58.0 dBm (630W) 的峰值功率、16.3 dB的增益、42.5%的漏极效率（在49.4 dBm (87W)的平均输出功率水平情况下）以及良好的宽带线性。DPD评估也显示，在高达20 MHz的信号带宽中，使用6个GSM载波能够很好地校正这种参考设计。
MRF8S9260H、MRF8S9170N、MRF8S9200N和MRF8P9300H晶体管也达到了类似的性能结果。
飞思卡尔的HV8 LDMOS平台有效满足了功率放大器制造商的成本、性能和可靠性要求，彰显了飞思卡尔致力于成为通信系统射频领导者的承诺 。
