IRFBxxxxPBF：IR全新基准高电流MOSFET

产品特性：

• 封装电流额定值达到195A
• 低导通电阻
• 7管脚D2PAK封装的电流额定值达到240A
• 可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封装
• 提供60V至200V的电压

应用范围：

• 工业用电池、电源
• 高功率DC马达及电动工具

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。

新器件的封装电流额定值达到195A，比典型封装电流额定值高出60%。新款MOSFET具有更低的导通电阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封装。此外，7 管脚D2PAK封装的电流额定值达到240A的卓越水平，使它成为市场上最耐用的表面贴装封装之一。这种7管脚D2PAK封装比D2PAK封装具更低的RDS (on) 。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这些封装提供的更高电流额定值有助于利用不需要的瞬态提供更多防护频带，而且还能让数枚MOSFET分享高电流的平行式拓扑得以减少器件数目。”

全新N信道MOSFET系列提供60V至200V的电压，并达到工业级别及湿度敏感度第一阶(MSL1) 标准。新器件均不含铅及符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。

产品基本规格如下：

器件编号

通道

类型

Bvdss
(V)

RDS(on)

(mΩ)

在25ºC 下Id

(A)

Qg

(nC)

封装

IRFB3006PBF

N

60

2.5

195*

200

TO-220

IRFS3006PBF

N

60

2.5

195*

200

D2PAK

IRFS3006-7PPBF

N

60

2.1

240*

200

D2PAK-7

IRFS3107PBF

N

75

3.0

195*

160

D2PAK

IRFS3107-7PPBF

N

75

2.6

240*

160

D2PAK-7

IRFS4010PBF

N

100

4.7

180

143

D2PAK

IRFS4010-7PPBF

N

100

4.0

190

150

D2PAK-7

IRFB4115PBF

N

150

11

104

77

TO-220

IRFS4115PBF

N

150

12.1

99

77

D2PAK

IRFS4115-7PPBF

N

150

11.8

105

73

D2PAK-7

IRFB4127PBF

N

200

20

76

100

TO-220

IRFS4127PBF

N

200

22

72

100

D2PAK

新款MOSFET系列已经开始供货。