选择合适的OVP、OCP元器件应对电路保护设计挑战
著名专家，社区好老师陶显芳：《 ESD、EMI、EMC设计》（点击下载演讲PPT）Littelfuse 深圳FAE 蒋浩峰：《雷击和静电保护（点击下载演讲PPT）村田(中国)投资有限公司高级产品工程师范为俊：《 DiiVA 用电子元器件设计对策》（点击下载演讲PPT）顺络电子副总工程师贾广平：《线路过电压保护机理及系统化方案设计》（点击下载演讲PPT）美国柏恩亚太有限公司技术支持经理黄逸维：《过压过流电路保护解决方案》（点击下载演讲PPT）AEM 科技(苏州)有限公司产品经理齐治：《 ESD 器件应用及解决方案探讨》（点击下载演讲PPT）上海光宇睿芯微电子有限公司总经理刘建朝：《半导体过压保护器件》（点击下载演讲PPT）深圳市槟城电子有限公司FAE 工程师李亚文：《防护方案设计及器件选型》（点击下载演讲PPT）电路保护和电磁兼容技术研讨会已经举行了四届，每一届都吸引了大量的设计工程师和研发项目经理的参与。“电路保护和电磁兼容是电路设计的基础性问题，每位电路工程师都应该熟练掌握。我们希望通过这个研讨会帮助工程师了解电路保护和电磁兼容的技术应用趋势和产品设计方法，通过技术创新来降低成本，同时提升电子产品的可靠性和价值。” 电子元件技术网CEO刘杰博士表示。保护器件的选型目前针对过压应用，可以选择TVS、压敏电阻（MLV）、高分子聚合物ESD器件（Polymer）、玻璃陶瓷ESD器件等解决方案，系统设计师需要针对不同的应用和成本考量选择不同的方案。ESD器件选型需要考虑许多问题，AEM（苏州）科技有限公司副总经理郑索平介绍，选择ESD器件应该遵循下面的要求：1）选择静电保护器件注意：·箝制电压不要超过受保护器件的最大承受电压·电路电压不超过保护器件工作电压·低电容值、漏电流尽可能的减少干扰及损耗（2）静电保护器件尽量安装在最接近静电输入的地方，远离被保护器件
（3）静电保护器件一定接的大地线，不是数字地线
（4）回地的线路尽量的短，静电保护器件与被保护线路之间的距离尽量的短
（5）尽量避免被保护与未被保护线路并排走线针对过流保护可以选择PTC、片式熔断器、断路器、保险电阻、温度熔断器等器件，同样需要针对不同的应用和成本考量进行选型。郑索平表示，选择片式熔断器等过流保护器件需要考虑下面的因素：1）额定电流
2）额定电压
3）工作温度
4）电压降 / 冷电阻
5）熔断特性: 时间-电流特性和过载能力
6）分断能力
7）熔化热能值
8）耐久性（寿命）
9）结构特征：外形/ 尺寸和安装形式
10）安全认证
LED是目前非常热门的应用，针对LED照明应用也需要进行电路保护，需要考虑过压、过流、过热等保护问题。泰科瑞侃日前专门介绍了针对LED应用的保护设计方案：《泰科瑞侃详解LED照明电路保护设计需求》另一个需要特别注意的应用是高速传输领域，之前村田有介绍针对DiiVA应用的保护元器件选型，对于USB、HDMI等应用，也需要器件电容值足够的低，来满足信号完整性需求。Bourns日前介绍了针对USB 2.0/3.0应用提供了专门的方案：《美国柏恩Bourns在USB 2.0&3.0上的保护方案》
对于功率开关等应用，通常都需要配备ESD过压保护器件，不过新技术的采用使得功率半导体的ESD性能不断提高。比如NXP的新型双极晶体管产品：《新一代低VCEsat双极晶体管》，不仅在温度稳定性、ESD强度和反向阻断方面强于传统的MOSFET，而且在饱和电阻和功率范围上实现了重大突破，能够在中功率的应用中替代MOSFET。
关键字：2010SZCEF 电路保护 过压 过流 SZ2010 本文链接：http://www.cntronics.com/public/art/artinfo/id/80005937
