NUS6189：安森美最新高集成度过压保护器件
产品特性：
- 集成了OVP、P沟道MOSFET、晶体管和功率MOSFET
- 3.0 mm x 4.0 mm x 0.9 mm QFN-22无铅小封装
- 极低的功率耗散和发热量，延长了寿命
- 设计用于处理大浪涌峰值电流
- 过压关闭时间短于1.0微秒
应用范围：
- 手机、便携式媒体播放器(PMP)
- 移动互联网设备(MID)
安森美半导体(ON Semiconductor)推出NUS6189新器件，将过压保护(OVP)电路的性能和功能、30 V P沟道功率MOSFET、低饱和电压(VCE(sat))晶体管和低导通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到节省空间的一个3.0 mm x 4.0 mm x 0.9 mm封装之中。NUS6189设计用于保护敏感电子电路免受过压瞬态和电源故障影响。这器件经过优化，应用于使用外部交流-直流(AC-DC)适配器或车载充电器，如手机、便携式媒体播放器(PMP)和移动互联网设备(MID)。
NUS6189将保护便携设备通常需要的四种不同器件功能集成至单颗集成电路(IC)中，减少所需印制电路板(PCB)空间多达40%。此外，这器件的集成设计提供极低的功率耗散，大幅减少发热量，并延长电池使用时间。NUS6189特别设计用于处理大浪涌峰值电流，与设计用于下一代便携设备的安森美半导体电源管理IC及领先的码分多址(CDMA)****??组相辅相成。这器件的过压关闭时间短于1.0微秒(µs)，在故障发生时会极快地断开输入电源与负载之间的连接，因此它比现有关闭较慢的解决方案能提供更优异的保护性能。
安森美半导体数字及消费产品部副总裁兼总经理Manor Narayanan说：“安森美半导体持续领先业界，提供采用更小、更薄封装的创新高能效解决方案，不仅满足下一代应用的尺寸要求，还提供客户所需求的性能。我们与客户密切合作，了解他们的需要，并会持续开发针对这些应用的解决方案，帮助客户保持竞争优势。”
NUS6189是安森美半导体针对便携设备四个常见主要子系统的产品阵容中重要的新成员。这器件尤其解决了互连子系统内的挑战性要求。除了互连子系统，安森美半导体还提供手持便携设备中的显示及背光、电源管理和音/视频等其它三个主要子系统的解决方案。
封装和价格
NUS6189采用低厚度的3.0 mm x 4.0 mm x 0.9 mm QFN-22无铅封装。每1,000颗批量的预算单价为0.55美元。
