使用广泛的Littelfuse瞬态电压抑制器 (TVS)
中心议题：
- Littelfuse TVS 二极管特性
- TVS 与其他二极管技术、工作特性、装置结构比较
我们在保护传输线、数据线或因雷击、感应式负载开关及ESD引起的线路过压保护中经常用到TVS 二极管。你真的了解TVS二极管吗，还是对它一知半解？TVS和硅保护阵列、二极管阵列等其他二极管技术有哪些区别？如果你曾关注TVS的选型指南，那你不妨看看Littelfuse的这篇文章。
Littelfuse TVS 二极管用来保护半导体元件免受高压瞬态电压的影响。 其 p-n 结的横截面积大于普通二极管的横截面积，这使它能将大电流接地，而不会造成损坏。 Littelfuse 提供峰值功率为 400W 到 15kW、反向变位电压为 5V 到 376V 的 TVS 二极管。
TVS 二极管通常用来保护传输线或数据线以及电路中因雷击、感应式负载开关以及静电放电 (ESD) 等引起的电压过载。
Littelfuse TVS 二极管可适用于广泛的电路保护应用，但主要是为保护远程通信和工业设备、计算机和消费类电子产品中的 I/O 接口而设计。
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Littelfuse TVS 二极管特性包括：
- 低增量电涌电阻
- 提供单向和双向极性
- 从 5V 到 512V 的反向变位电压
- 符合 RoHS 标准的雾锡无铅电镀层
- 从 400W 到 5000W 的表面贴装额定功率
- 从 400W 到 30000W (30kW) 的轴心引线额定功率
- 可用于 6kA 和 10kA 的高电流保护
TVS 与其他二极管技术比较：
工作特性比较：
装置结构比较：
肖特基二极管由金属半导体结构成。 它通过多数载流子输送电荷，并快速响应处理，具有较低的电流泄漏和正向偏置电压 (VF)。 肖特基二极管主要用于高频电路中。
齐纳二极管由重掺杂 P-N 半导体结构成。 有两种物理效应，可称为齐纳状态（齐纳效应和雪崩效应）。 当 P-N 结两端施加低反向电压因量子效应导通时，出现齐纳效应。 当 PN 结两端施加 5.5 伏以上反向电压生成电子空穴对与晶格碰撞时，出现雪崩效应。 基于齐纳效应的齐纳二极管广泛用作电路中的电压基准源。
TVS 二极管由专为过压保护设计的 P-N 半导体结构成。 P-N 结通常敷有涂层，用来保护非导通状态中的过早电压电弧。 出现瞬态电压事件时，TVS 二极管因雪崩效应导通以钳固瞬态电压。 TVS 二极管广泛用作远程通信、通用电子和数字消费类产品市场中的过电压电路保护装置，保护其免受雷电、ESD 和其他瞬态电压的危害。
SPA 代表Silicon Protection Arrays（硅保护阵列）。 它是一个将 PN 结、SCR 或其他硅保护结构集成封装在一个多针结构中的阵列。 SPA 可在具有多重保护机会的远程通信、通用电子和数字消费类产品市场中用作 ESD、雷电和 EFT 保护的集成解决方案。 例如，它可用于 HDMI、USB 和以太网端口 ESD 保护。
