Littelfuse推出瞬态抑制二极管阵列
品慧电子讯Littelfuse推出用于电信设备的SR70系列瞬态抑制二极管阵列（SPA器件），比竞争浪涌保护产品拥有更高的浪涌额定值、更低的电容和更高的ESD额定值，紧凑型SOT143封装可节省空间，提高设备的布局灵活性。
Littelfuse公司近日宣布推出新系列的瞬态抑制二极管阵列（SPA器件）。经过优化设计的该系列产品可用于保护VDSL和VDSL2等电信接口免受破坏。 每个SR70系列的瞬态抑制二极管阵列都由四个低电容轨到轨式二极管组成，能够有效保护设备免受静电放电（ESD）和雷击导致的浪涌现象的破坏。 功能强大的SR70系列能够在±30kV条件下安全地吸收高达40A（tP=8/20μs）的浪涌电流和反复性ESD震击，且性能不会下降。
图题：瞬态抑制二极管阵列
与市面上用于电信保护应用的其他产品相比，SR70系列在与浪涌相关的保护性能方面遥遥领先，拥有40A的较高浪涌额定值（同类竞争产品仅为24A或27A）、通常为2.0pF的较低负载电容（同类竞争产品则介于2.5pF至10pF之间），以及30kV的较高ESD额定值（同类竞争产品为8kV）。 低负载电容使得SP70系列瞬态抑制二极管阵列成为保护VDSL、VDSL2、T1/E1/T3/E3以及10/100/1000以太网线路等高速数据线路的理想选择。 这种强大的保护性能也可帮助电信制造商达到监管标准。
Littelfuse瞬态抑制二极管阵列产品经理Chad Marak表示：“该产品使我们更加重视对电信应用及端口保护产品的研发。 这是首款经过优化设计、用于xDSL接口的瞬态抑制二极管阵列，不过我们的产品依然以保护设备免受雷击感应瞬变的破坏为重点。”
SR70系列瞬态抑制二极管阵列为电路设计师提供了多项重要优点：
强大的浪涌保护能力，可在不降低性能的前提下吸收高达40A（tP=8/20μs）由雷击导致的浪涌电流，并有助于确保产品符合监管标准的规定。
每个输入/输出端至地面的负载电容较低（通常为2pF），最大限度地减少了信号损失，因而是保护VDSL、VDSL2等高速数据线的理想产品。
极高的ESD保护（±30kV接触放电，±30kV空气放电），超出IEC61000-4-2标准的最高等级（±8kV）。
紧凑型SOT143封装节省了电路板空间，使设计师能够更灵活地安排电路保护器件的布局。
极低的动态电阻（0.35Ω）确保了出色的箝位能力。
所有Littelfuse瞬态抑制二极管阵列（SPA器件）均设计用于保护电子设备免受通常具有破坏力的快速瞬态电压的破坏，例如雷击和静电放电（ESD）产生的瞬态电压。它们为电脑和消费电子产品提供了针对输入/输出接口和数字与模拟信号线的理想保护方案。
SR70系列雷击浪涌保护瞬态抑制二极管阵列（SPA器件）的起订量为3,000只，提供标准卷带包装。
