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EPC2014:EPC推出高性能第二代eGaN,FET适用于高频电路


产品特性:

  • 面积为1.87平方毫米
  • 最大结温额定值提高至150℃
  • 栅极电压为5V 时的RDS(ON)最大值是16mΩ
  • 环保、无铅、无卤化物、符合RoHS

应用范围:

  • 高速DC/DC电源、负载点转换器
  • D类音频放大器、硬开关和高频电路


宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2014。EPC2014具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例要求。

EPC2014 FET是一款面积为1.87平方毫米的40VDS及10V器件,当栅极电压为5V 时,RDS(ON)最大值是16mΩ。与前代EPC1014器件相比,新一代EPC2014器件具有明显更高的性能优势,其最大结温额定值提高至150℃,其性能在更低栅极电压时也得到全面增强。

与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比,EPC2014体积小很多,而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

“除了性能方面增强了,新一代增强型氮化镓场效应晶体管-EPC2014是不含铅、无卤化物及符合RoHS(有害物质限制)条例的要求。”共同创始人兼首席执行官Alex Lidow表示。

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