屏蔽性能指标的含义
中心议题：
- 屏蔽性能的指标
- 表面转移阻抗
- 转移阻抗
- 耦合衰减
- 屏蔽系数
- 屏蔽耦合损耗
1.表面转移阻抗(SuRFaceTransferImpedance)
按IEC61196-1测试同轴电缆的方法，测试带屏蔽的平衡电缆，短路8根芯线后用50Ω信号源激励。被测试线长1米，测试频率30MHz，频率越高，线长越短导体表面转移阻抗。主要用于评估连接硬件的屏蔽效率，其实测值不超过以下计算值。
ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3
ZTcable：表面转移阻抗，单位mΩ/m
f：信号频率，单位MHz
2.转移阻抗(TransferImpedance)
转移阻抗与屏蔽电缆和连接硬件的屏蔽效率相关，其数值可通过实验室高频密封箱测量屏蔽插入损耗，计算得出。
Ri1=Ri2=50Ω——网络分析仪特性阻抗
R1=50Ω——馈电电阻
R2=50Ω——终端电阻
U1=信号发射电压(V)
U2=信号接收电压(V)
Uc=被测设备两端电压
Zcond=连接器特性阻抗(Ω)
Zt=转移阻抗(Ω)
Zt=1/l电缆长度•Ri1/Ri2•(R2+Ri2)•U2/U1=100/l电缆长度•U2/U1
由于屏蔽插入损耗(αs)为20•lg(U2/U1)dB，转移阻抗(Zt)也可以表示为：
Zt=100•10α/20(Ω)
3.耦合衰减(CouplingAttenuation)
耦合衰减用于描述电缆系统的电磁兼容性能。耦合衰减Catt=Pr/Pi(Pr：线缆接收功率;Pi：在内导体上产生的噪声功率)
将电缆近似看作电磁场中的全向天线，其接收到的电磁功率Pr=λ2/4π•PD(λ：信号波长，PD：电磁场功率密度)
内部内部导体产生噪声功率Pi=内部导体产生噪声功率Vi2/Z(Vi：内导体上的噪声电压;Z内导体阻抗，50Ω)
4屏蔽系数(GB54419-1985)
按下图装置，测试电缆金属护套及铠装层的理想屏蔽系数γ0s=VC/VS(线芯上的感应电压mV;电缆式样金属套上的纵向干扰电压mV)。
5屏蔽耦合损耗(CouplingLoss)(GY/T186-2002)
GTEM小室馈入功率与被测件耦合功率的分贝差。与10.9.3耦合衰减(CouplingAttenuation)意义相同。
6屏蔽效能(ShieldingEffectiveness)(GY/T186-2002)
采用GTEM小室测量无屏蔽电缆与屏蔽电缆的屏蔽耦合损耗的分贝差。
