配合移动设备不同充电应用的全面保护方案
中心议题：
- 介绍安森美配合移动设备不同充电应用所能提供的全面保护方案
解决方案：
- 针对电压/电流可达30 V/1A~2 A的墙式适配器充电保护：
NCP345/NCP346
正在提供样品NCP349等 - 针对USB适配器的充电保护方面：
NCP360提供正向过压保护功能
集成PMOS的NCP361提供正向过压保护及过流保护功能
结合OVP、OCP和静电放电(ESD)保护的NCP362正在提供样品 - 针对墙式适配器充电保护的结合OVP与过流保护(OCP)的器件
NCP370(正/负向OVP及反向OCP)，
正在提供样品的NCP366(集成PMOS)和NCP367(集成PMOS和Vbat引脚)
我们把普通墙式适配器或USB充电适配器到移动设备电池的通道称为直接充电通道，而把移动设备电池到外部附件(如调频收发器、负载扬声器和闪光模块)的通道称为反向供电/充电通道(参见图1移动设备的直接充电通道和反向供电/充电通道示意图)。
安森美半导体身为全球领先的高能效、高性能半导体方案供应商，针对移动设备不同的充电应用提供结合不同特性的过压保护方案, 包括符合YD/T1591 手机充电器及接口标准，具有低导通阻抗，符合USB1.1/2.0电流消耗要求，具有快关闭时间，支持软启动，并为客户提供完整的技术支持。
例如，在针对电压/电流可达30 V/1A~2 A的墙式适配器充电保护方面，安森美半导体的正向过压保护(OVP)器件包括NCP345/NCP346(仅驱动器)、NCP347/NCP348(集成N沟道MOSFET)，以及正在提供样品的集成NMOS、采用WDFN 1.6×2 mm/1.6×1.8 mm极小封装的NCP349等等。其中NCP347/NCP348提供市场上最低的导通阻抗(典型值65 mΩ)，具有极短的关闭时间(典型值1.5 us)，能处理高达2 A的充电电流，欠压锁定(UVLO)和过压锁定（OVLO）电压能藉金属调整（Metal Tweak）在2.5 V至7 V范围内改变，为移动设备提供强大的正向过压保护功能。此外，安森美半导体还为墙式适配器充电保护提供结合OVP与过流保护(OCP)的器件，如NCP370(正/负向OVP及反向OCP)，以及正在提供样品的NCP366(集成PMOS)和NCP367(集成PMOS和Vbat引脚)等。
而在针对USB适配器的充电保护方面，安森美半导体集成PMOS的NCP360提供正向过压保护功能，集成PMOS的NCP361提供正向过压保护及过流保护功能；此外，结合OVP、OCP和静电放电(ESD)保护的NCP362也正在提供样品。下文我们将以NCP370和NCP362为例，探讨这些器件如何为移动设备充电应用提供可靠的保护方案。
NCP370为移动设备电池充电/供电通道提供双向保护
移动设备的直接充电通道面临着浪涌电流效应和正/负向过压等风险。适配器热插入的瞬间，由于线缆的寄生电感和输入电容的缘故，危险的高压振铃可能会损害移动设备中敏感的集成电路(IC)。在这方面，设想的移动设备保护方案应可通过控制保护方案内的MOSFET的导通，使移动设备输入电流和输入电压不超过IC所能承受的电压值，从而保护移动设备免于源自各种应用环境下可能存在的过压故障的损害，如由适配器内部故障产生的正向过压、适配器插反产生的负向过压等。
而在反向供电/充电通道方面，设想保护方案也必须解决电池放电/反向放电过流、反向浪涌电流、反向直接短路和反向通道电压跌落等问题。
