线性稳压器的限流电路
中心议题：
- 线性稳压器的限流电路结构
- 线性稳压器的电流采样电路
- 线性稳压器的性能参数和结果
目前伴随着便携移动设备的快速发展，电源芯片得到更广泛的应用，LDO芯片即是一种重要的电源芯片。但在发生输出短路或负载电流过大的情况，LDO稳压器可能会损坏，特别是在短路情况下，LDO存在过大的电流从调整管通过，进而可能烧坏调整管致使芯片无法工作。因此需要设计一种用于LDO稳压器的限流电路，能在过载或短路情况下及时关闭电源系统。
电路结构
这种限流电路的主要结构包括:电流采样电路、电流比较电路和基准源电路。如图1所示，它将从LDO输出电路得到的采样电流，与基准电流(镜像于基准源)作比较。根据实际需要，设定当输出驱动电流大于100mA时，采样电流大于基准电流，比较器翻转输出低电平，经反相器整形后得到逻辑0，由此LDO被关闭，从而实现限流功能。
1电流采样电路
如图1所示，电流采样电路包括MP5、MP4、MP3、MN2和MN1。因为MP5和MP6均工作在饱和区，为了使MP5更好地等比例镜像LDO的调整管(PMOS驱动管)MP6的电流，特使用MN1、MN2、MP3和MP4组成自偏置的镜像阵列，以保证VX=VY，Vds_p5=Vds_p6。所以根据饱和区电流公式得到，N1I_p5=N1Is=N1Is1=I_p6。为使M3电流与Is更好的匹配，根据经验值并考虑功耗因素，特意将MN1、MN2和M3的过饱和电压提高到0.3V。
图1电流采样电路与电流比较电路
2电流比较电路
电流比较电路由电压比较器A1，若干电阻和MOS管构成。参考图2可知，电流比较电路的左半部分将电流转化为电压，而A1比较两者电压差给出判断电压Vc。
图2比较器A1电路
因为M1，M2和M3均工作在饱和区，有
Is=N2×Is2=N2×I1=N2×IR1。
VA=VDD-Vsg1-IR1×R1;
VB=VDD-Vsg2-IR2×R2
由此可得：
为了简便计算，设当Vd=0时，公式(1)中前一个括号和后一个括号分别为零，那么整理后得到
，代入输出电流Io和基准电流Ir后得到：
当Io=100mA时，Vd=0，比较器A1翻转，LDO关闭。设定N1=200，N2=4，M=4，Ir=10uA，得到M1和M2的宽长比之比和R1与R2的电阻之比。
