高速数据应用中ESD抑制技术研究
ESD抑制技术的中心议题：
- 信号速率不断提高
- 传统的ESD技术不能提供准确可靠的保护
- 间隙技术可实现可观的性能提升
高清电视及显示器的发展加速提高了信号传输速率,除此之外，USB 2.0以及USB 3.0等高速串行协议的应用也使信号速率在不断提高。随着信号速率的提高，以前传统的ESD保护技术已显得过时，多层压敏电阻、硅二极管的高电容、漏电流以及钳位电压已经不能提供准确可靠的保护，以保证高速信号不发生明显的信号降级。
通过采用间隙技术（gap technology），特别是采用空气作为间隙，已经在低电容抑制器、更低漏电流、更低钳位电压等方面实现了可观的性能提升。总之，在重复多次或持续的 ESD事件后，聚合物间隙抑制器会降级，而空气间隙器件仍将保持非常低的电容、漏电流和触发电压，即使在1s事件间隔内经过1000次ESD事件，也能保持良好的性能。
静电放电保护方案概览
对于数据速率在350Mb/s或低于350Mb/s的应用，瞬态抑制二极管和多层压敏电阻是提供保护的极好选择。这些应用包括标清LCD显示器、TFT显示器，以及大多数的计算机周边接口及连接。这些信号天生就允许高的插入损耗、高钳位电压和触发电压。鉴于电源引脚上并没有任何信号，因此，高速抑制相应并不是必需的。瞬态抑制二极管和多层压敏电阻也可以有效地保护像USB 2.0以及其他更高速率的接口电源引脚。但是，对于像DVI、HDMI、USB 3.0以及最新的IEEE 1394 A和B标准下的数据通信线路，实现最小信号失真的高速抑制响应对于系统性能和电路保护是至关重要的。这些应用包括数字视频设备、MP3播放器、手机、 PDA、网络交换器、有线和卫星电视机顶盒、打印机、扫描仪、复印机以及笔记本电脑和上网本等计算机设备。
抑制器技术比较
表1给出了在静电放电抑制器件中常用的几种核心技术的优点和缺点对比。聚合物静电放电抑制器件在各种技术中可提供最低的漏电流，可承受非常高的静电放电电压脉冲，但在多次静电放电事件后器件会开始降级。除此之外，该类器件相对高的触发电压和钳位电压（比空气间隙放电产品高出 50～100倍）则意味着更多的静电放电脉冲能量可以通过被保护的电路。
多年以来，在多种电器设备中广泛应用多层压敏电阻来提供有效的静电放电抑制。多层压敏电阻相对较低的击穿电压和触发电压以及能经受多次脉冲的能力是相当令人满意的。可是，多层压敏电阻具有较高的漏电流和电容，并且降低电容带来的有害影响导致其无法胜任高速数据的应用。
基于硅的瞬态电压抑制器件工作在标准P/N结的击穿状态，相比基于聚合物-间隙（polymer-gapbased）的器件可提供相对低的触发电压和钳位电压。该类器件的泄漏电流比空气间隙器件（air-gap device）的高10～20倍，其相对较高的固有电容导致高信号失真和插入损耗。基于空气间隙的器件在以上讨论过的所有技术中可提供最低的电容和钳位电压，其工作在两个电极间的惰性气体击穿状态。基于空气间隙的器件可以防止高达15kV的脉冲，它们在经历1000次脉冲冲击后性能特点也相当稳定（如图2 所示）。基于空气间隙的器件泄漏电流略高于基于聚合物-间隙的器件，但是其电容和插入损耗与聚合物器件相当或者稍好一些，并且其钳位电压和触发电压要低得多。
