详解LED封装技术之陶瓷COB技术
中心议题：
- 详解LED封装技术之陶瓷COB技术
- 运用溅镀、电／化学沉积技术
- 选用优质散热材料是之为最有效的解决方案
LED封装方式是以芯片(Die)借由打线、共晶或覆晶的封装技术与其散热基板Submount(次黏着技术)连结而成LED芯片，再将芯片固定于系统板上连结成灯源模组。
目前，LED封装方法大致可区分为透镜式(Lens-type)以及反射杯式(Reflector-type)，其中透镜的成型可以是模塑成型(Molding)或透镜黏合成型；而反射杯式芯片则多由混胶、点胶、封装成型；近年来磊晶、固晶及封装设计逐渐成熟，LED的芯片尺寸与结构逐年微小化，高功率单颗芯片功率达1~3W，甚至是3W以上，当LED功率不断提升，对于LED芯片载版及系统电路版的散热及耐热要求，便日益严苛。
鉴于绝缘、耐压、散热与耐热等综合考量，陶瓷基板成为以芯片次黏着技术的重要材料之一。其技术可分为厚膜工艺(Thick film)、低温共烧工艺(LTCC)与薄膜工艺(DPC)等方式制成。然而，厚膜工艺与低温共烧工艺，是利用网印技术与高温工艺烧结，易产生线路粗糙、对位不精准、与收缩比例问题，若针对线路越来越精细的高功率LED产品，或是要求对位准确的共晶或覆晶工艺生产的LED产品而言，厚膜与低温共烧的陶瓷基板，己逐渐不敷使用。
为此，高散热系数薄膜陶瓷散热基板，运用溅镀、电／化学沉积，以及黄光微影工艺而成，具备金属线路精准、材料系统稳定等特性，适用于高功率、小尺寸、高亮度的LED的发展趋势，更是解决了共晶／覆晶封装工艺对陶瓷基板金属线路解析度与精确度的严苛要求。当LED芯片以陶瓷作为载板时，此LED模组的散热瓶颈则转至系统电路板，其将热能由LED芯片传至散热鰭片及大气中，随着LED芯片功能的逐渐提升，材料亦逐渐由FR4转变至金属芯印刷电路基板(MCPCB)，但随着高功率LED的需求进展，MCPCB材质的散热系数(2~4W/mk)无法用于更高功率的产品，为此，陶瓷电路板(Ceramic circuit board)的需求便逐渐普及，为确保LED产品在高功率运作下的材料稳定性与光衰稳定性，以陶瓷作为散热及金属佈线基板的趋势已日渐明朗。陶瓷材料目前成本高于MCPCB，因此，如何利用陶瓷高散热系数特性下，节省材料使用面积以降低生产成本，成为陶瓷LED发展的重要指标之一。因此，近年来，以陶瓷材料COB设计整合多晶封装与系统线路亦逐渐受到各封装与系统厂商的重视。
COB，在电子制造业里并不是一项新鲜的技术，是指直接将裸外延片黏贴在电路板上，并将导线／焊线直接焊接在PCB的镀金线路上，也是俗称中的打线(Wire bonding)，再透过封胶的技术，有效的将IC制造过程中的封装步骤转移到电路板上直接组装。在LED产业中，由于现代科技产品越来越讲究轻薄与高可携性，此外，为了节省多颗LED芯片设计的系统板空间问题，在高功率LED系统需求中，便开发出直接将芯片黏贴于系统板的COB技术。
