40V OptiMOS T2:英飞凌新推汽车电源MOSFET系列产品
近日消息，英飞凌科技(Infineon)于日前宣布推出采用 TO 无铅封装的汽车电源 MOSFET 系列产品。
OtpiMOS T2 为业界率先采用 TO 无铅封装的车用电源 MOSFET，系列产品包括IPB160N04S4-02D ( 160A， TO-263 封装)、IPB100N04S4-02D (100A, TO-263)、 IPP100N04S4-03D (100A, TO-220) 以及 IPI100N04S4-03D (100A, TO-262) 皆已上市。
新型 40V OptiMOS T2 MOSFET 结合创新的封装技术及英飞凌的薄晶圆制程技术。据英飞凌表示，其MOSFET 新系列产品超越了现行欧盟 RoHS 对于含铅焊锡封装的规范。
英飞凌采用扩散焊接黏晶技术所生产的无铅封装包括TO-220, TO-262 以及 TO-263。由于封装几何方面对于晶粒焊垫厚度与晶片尺寸的特殊要求，现今扩散焊接粘晶技术仅适用于上述三种英飞凌所提供的封装形式，OptiMOS T2 系列产品的量产已准备就绪。
英飞凌指出，更严格的 ELV RoHS 标准可能将于 2014年施行，届时将要求采用完全无铅的封装方式。作为业界首款无铅封装 MOSFET，英飞凌的新产品让客户满足更严格的要求。
英飞凌专利的无铅黏晶 (die attach) 技术采用扩散焊接，可提升电性与散热表现、可制造性以及品质。此黏晶技术搭配英飞凌的薄晶圆制程(60μm，标准为 175μm)，可实现不使用铅及其他有毒物质的环保产品，并大幅降低封装的导通电阻值 RDS(ON)。
另外，热阻 (RthJC) 改善率高达 40- 50%。英飞凌表示，传统软铅焊料的热传导能力不佳，阻碍了MOSFET 接面之散热，而新元件则大幅改良了热阻。其他优点还包括：由于没有焊锡流迹 (Bleed-out) 及晶片倾斜 (Chip tiltness)的问题，以及更收敛的RDS(on) 与 RthJC 分布，提供了更佳的可制造性。降低产品内的机电应力，也提升了产品可靠性和品质。
从新款 OptiMOS T2 40V (如：IPB160N04S4-02D，160A) 的规格得知，其 RDS(on) 仅 2.0mΩ 且 RthJC 仅 0.9K/W。相较于使用标准铅焊接的同类产品，其导通电阻降低了约20% 。此外，英飞凌专利的扩散焊接技术可减少「晶片至导线架」的热阻抗，让新型 OptiMOS T2 产品拥有同级产品中最佳效能。
OtpiMOS T2产品特性：
- 采用TO 无铅封装
- 采用扩散焊接黏晶技术
- 提升电性与散热表现
- 大幅降低封装的导通电阻值
OtpiMOS T2应用范围：
