SiE876DF：Vishay导通电阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET
产品特性：- 采用SO-8尺寸的PolarPAK封装
- 10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω
- 可以在更低的结温下工作
- 漏源电压等级低于150V，因此能简化PCB设计
- 通过了Rg和UIS测试
- 工业型电源、马达控制电路
- 用于服务器和路由器的AC/DC电源
- 使用负载点(POL)功率转换的系统
- 更高电压的中间总线转换(IBC)设计中
N沟道SiE876DF的目标应用是工业型电源、马达控制电路、用于服务器和路由器的AC/DC电源，以及使用负载点(POL)功率转换的系统，还可以在更高电压的中间总线转换(IBC)设计中用做初级侧开关或次级侧整流。
在这些应用中，低导通电阻的SiE876DF可以产生更低的传导损耗，从而节约能源。除了TrenchFET硅技术对降低导通损耗的贡献外，PolarPAK封装的双面冷却还能为高电流应用提供更好的热性能，这样器件可以在更低的结温下工作。PolarPAK的引线框封装设计还能提高保护性能和可靠性，此外，由于硅片不是暴露在外的，这种封装还能简化制造过程。器件的布版和其他PolarPAK器件是相同的，漏源电压等级低于150V，因此能简化PCB设计。SiE876DF还百分之百通过了Rg和UIS测试。
60V的SiE876DF现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。
