μPA2812T1L：瑞萨发布低损耗高效P沟道MOSFET用于笔记本电脑

产品特性：

• 业界最低的导通电阻
• 可提供更优异的系统电源效率
• 延长电池的使用时间
• 小尺寸，盖大范围运作电流等级

应用范围：

• 笔记型电脑

先进半导体解决方案之顶尖供应商瑞萨电子宣布推出5款低损耗P-Channel金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)系列产品，包括针对笔记型电脑锂离子二次电池之充电控制开关，以及AC变压器电源供应开关之电源管理开关等用途进行最佳化的μPA2812T1L。

近年来，市场对于外型较轻巧、整体系统低电耗，以及借由电池电力即可使用较长时间之笔记型电脑，需求日渐升高。功率MOSFET用于锂离子二次电池的充电控制开关以及AC变压器电源供应开关的电源管理开关，必须处理整体系统运作所需要的大电流，因此需要降低运作电阻(导通电阻)，以降低系统的耗电量。同时，笔记型电脑的机身越来越小巧，因而市场对于尺寸轻巧的锂离子电池需求极为强烈，也需要比传统SOP-8封装更小的功率MOSFET产品。

为因应上述需求，瑞萨已开发新的制程，采用超精细加工技术及其他创新技术，相较于先前用以制造类似用途MOSFET的制程，可使导通电阻降低2分之1，并提供相同的有效区域。此次包括μPA2812T1L的5款新产品，皆以非常小的封装尺寸提供低导通电阻。

新款P-channel功率MOSFET的主要特色：

(1)业界最低的导通电阻，可提供更优异的系统电源效率，延长电池的使用时间
新款MOSFET可达到瑞萨先前产品大约2分之1的导通电阻。μPA2812T1L采用小型3.3 mm方形封装，可达到业界最低的4.2 mΩ(典型)导通电阻，并可保持低电耗，提升系统整体的电源效率，使用锂离子二次电池时可延长? 峸伅﹛C较低的导通电阻还包括其他优点，例如以采用新款μPA2812T1L的电路取代采用瑞萨先前μPA2810T1L平行连接的电路，可减少系统的安装面积。

(2)安装面积约为具同等效能之先前产品的3分之1，可提供尺寸更小的系统
较早的瑞萨产品以SOP-8封装提供与新款μPA2812T1L相当的导通电阻，面积约为3倍大。采用μPA2812T1L将可缩减安装面积约3分之2，为笔记型电脑提供尺寸更小的电源供应系统。

(3)涵盖大范围运作电流等级的完整系列产品