飞兆半导体推出新一代超级结MOSFET-SupreMOS
产品特性：
- 兼具低RDS (ON) 和低总栅极电荷
- 品质因数降低了40%
- 最佳的反向恢复特性di/dt和dv/dt
- 将开关和传导损耗减少20%
- 击穿电压范围(-500V 至1000V)
- 电源、照明、显示和工业应用
相比SuperFET™ MOSFET器件，SupreMOS™600V超级结MOSFET在相同RDS(ON)下提供了更低的栅级电荷，并且具有出色的开关性能，能够将开关和传导损耗减少20%，从而提高效率。另外，SupreMOS™器件具有较低的输入和输出电容，能够提高轻负载条件下的效率。这些特性可让电源满足能源之星规范中适用于台式电脑的80 PLUS 金(Gold) 级别和用于服务器的白金(Platinum)级别的要求。
SupreMOS™器件是飞兆半导体全面之MOSFET产品系列的一部分，为设计人员带来宽阔的击穿电压范围(-500V 至1000V)、先进封装和业界领先的品质因数(FOM)，为各种电能转换环境提供所需的高效功率管理功能。
价格(订购1000个，每个):
FCP22N60N 1.60美元
FCPF22N60N 1.60美元
FCA22N60N 1.80美元
FCP16N60N 1.50美元
FCPF16N60NT 1.50美元
供货: 现提供样品
交货期: 收到订单后9至11周内
