TK系列：Toshiba推出高性能功率MOSFET
产品特性
：
- 应用工作电压高达650V，电流20A
- 采用完全隔离的TO220SIS封装和普通的TO-3P(N)封装
- 各种新和新兴电源应用
- 包括功率因数校正设计和照明用镇流器
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度，应用工作电压高达650V，电流20A。新的TK系列器件适合用于各种新和新兴电源应用中，包括功率因数校正（PFC）设计和照明用镇流器。
Toshiba的TK系列MOSFET采用完全隔离的TO220SIS封装和普通的TO-3P(N)封装。两种封装的大小分别为10mmx15mmx4.5mm和15.9mmx20mmx5mm。所有TO220SIS器件具有Toshiba的‘Warp’封装，使用铜连接器而不是金属线连接。这就降低了内部连接的电阻，改善散热并支持处理更高电流。
新系列产品中提供的电压选择为450V，500V，525V，550V，600V和650V，漏极电流为2A~20A。RDS(ON)额定值为从5?低至仅0.27?。
