SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
产品特性：
- 最大导通电阻分别为1.2mΩ和1.7mΩ
- 该器件在4.5V电压下的栅电荷只有85nC
- VDS=12V，VGS=±20V
- 采用PowerPAK SO-8封装
- 低输入电压(5V～3.3V)同步降压转换器
- 低输出电压(5V，3.3V和更低)OR-ing应用
- 各种采用5V和3.3V输入电压负载点(POL)转换器的系统
额定电压12V的SiR494DP在10V和4.5V栅极驱动下的最大导通电阻分别为1.2mΩ和1.7mΩ。导通电阻与栅电荷的乘积是评价用于DC-DC转换器应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)，该器件在4.5V电压下的栅电荷只有85nC。
与对低传导损耗和低开关损耗进行过优化的最接近的竞争器件相比，这些指标表明该器件在10V和4.5V下的导通电阻分别减小了40%和35%，FOM降低了29%。更低的导通电阻和栅电荷意味着更低的传导和开关损耗。
Vishay Siliconix SiR494DP可用于采用低输入电压(5V～3.3V)同步降压转换器、低输出电压(5V，3.3V和更低)OR-ing应用，以及各种采用5V和3.3V输入电压负载点(POL)转换器的系统中的低压侧MOSFET，在这些应用中，新器件的低导通损耗和低开关损耗将能够更有效率地使用能源。
对于低输出电压的应用，12V的栅源额定电压恰好够用，但迄今为止，设计工程师被迫选用20V的器件，尤其是设计者同时需要最低的导通电阻和20V的栅源电压时。SiR494DP是具有这些特性的首款MOSFET：VDS=12V，VGS=±20V，在10V栅极驱动下的导通电阻只有1.2mΩ。
新型功率MOSFET采用PowerPAK SO-8封装。这款无铅、无卤素的器件符合IEC 61249-2-21的要求，符合RoHS Directive 2002/96/EC规范，并100%通过了Rg和UIS测试。
SiR494DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。
