STx7N95K3:ST推出全新系列功率MOSFET晶体管
产品特性：
- 950V的击穿电压级别
- 可以使用一个单一950V MOSFET取代双晶体管电路
- 能够承受高于击穿电压的电涌
- 额定雪崩电流为9A
- 导通电阻RDS(ON)被降至1.35欧姆以下
- 液晶显示器
- 电视机
- 节能灯镇流器等产品
日前，意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管，新产品的击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。
STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950V的击穿电压级别产品，此一新级别的产品特别适用于通过把工作电压提高到400V或更高来降低能耗的系统。与竞争品牌的900V产品相比，意法半导体全新950V功率MOSFET的安全工作面积更大，可靠性更高。高压电源设计人员还可以使用一个单一950V MOSFET取代双晶体管电路，从而简化电路设计，缩减尺寸，减少元器件数量。
此外，STx7N95K3系列的额定雪崩电流高于竞争产品，这个优势可确保产品能够承受高于击穿电压的电涌，因为过高的浪涌电流会烧毁器件。新产品的额定雪崩电流为9A，而实力最接近的竞争品牌的900V产品的额定雪崩电流大约只有1A。
除更强的耐高压能力外，STx7N95K3系列还实现了导通损耗最小化，导通电阻RDS(ON)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%，设计人员
可以提高功率密度及能效。
同时，因为达成低栅电荷量(QG)和低本征电容，这些新的MOSFET还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。
STx7N95K3 MOSFET实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代SuperMESH3技术。新产品采用工业标准封装。STF7N95K3采用 TO-220FP封装；STP7N95K3采用标准的TO-220封装；STW7N95K3采用TO-247封装。
随后将推出的新产品是：950V 的BVDSS STW25N95K3、STP13N95K3、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850V、950V、1050V和1200V系列产品。
STx7N95K3系列已投产。
