SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
产品特性：
- 采用1.6mm×1.6mm 的热增强型PowerPAK SC-75 封装
- 肖特基二极管在100 mA 时具有 0.32V 低正向电压
- 将两个元件整合到一个封装中节省了空间
- 较低的正向电压，降低了电平位移应用中的压降
- 具有0.960?～0.225?的低导通电阻范围
- 1.5 V 时的低导通电阻额定值
- 具有ESD保护，并且无铅，无卤素，符合RoHS
应用范围：
- 手机、PDA、数码相机
- MP3 播放器及智能电话等便携式设备
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出业界最小的20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管--- SiB800EDK，该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型PowerPAK SC-75 封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其在100 mA 时具有 0.32V 低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1.5V 栅极驱动时规定的额定导通电阻的 MOSFET 进行了完美结合。
当便携式电子设备变得越来越小时，元件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积，Vishay的SiB800EDK 比采用 2mm×2mm 封装的器件小 36%，同时具有 0.75mm 的超薄厚度。Vishay此番将两个元件整合到一个封装中不仅节省了空间，而且包含沟槽肖特基二极管可保持较低的正向电压，从而降低了电平位移应用中的压降。
SiB800EDK 具有0.960?（1.5V VGS 时）～0.225?（4.5V VGS 时）的低导通电阻范围。1.5 V 时的低导通电阻额定值可使 MOSFET 与低电平时的信号一同使用。
该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备的 I2C 接口与升压转换器中的电平位移转换。
SiB800EDK 具有 ESD 保护，并且 100% 无铅（Pb），无卤素，以及符合 RoHS，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。目前，新型 SiB800EDK 的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。
