Diodes推出实现低温操作的低导通电阻微型MOSFET用于便携消费电子

产品特性：

• 采用微型DFN1212-3封装
• 结点至环境热阻为130oC/W
• 低导通电阻，低传导损耗，低功率耗散

应用范围：

• 数码相机、平板电脑及智能手机等高便携式消费电子产品

Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装的MOSFET。该器件的结点至环境热阻 (Rthj-a) 为130oC/W，能于持续状态下支援高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthj-a性能为280oC/W的SOT723封装，能实现更低温度运行。

这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723 封装的MOSFET一样，印刷电路板 (PCB) 面积为1.44mm2，并具备0.5mm的狭小离板高度，但后者的热力效能则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET可简易替换高可靠性的讯号及负载开关应用，用于包括数码相机、平板电脑及智能手机在内的高便携式消费电子产品。

Diodes公司首次推出的这对MOSFET，额定电压为20V，包含DMN2300UFD N通道及DMP21D0UFD P通道组件。在VGS为1.8V的情况下，该N通道MOSFET的典型导通电阻为400mΩ，比最受欢迎的同类型SOT723封装MOSFET大约低50%，有效大幅减少传导损耗及功率耗散。

Diodes稍后亦会推出采用DFN1212-3封装、额定电压为30V与60V的组件，以及一系列双极型器件。