IGBT构成的交流传动逆变器的设计

中心议题：

• IGBT构成的交流传动逆变器的主电路结构原理
• 保护吸收电路结构
• 驱动电路结构
• 主电路安装与布局
• IGBT参数选择

解决方案：

• 保护吸收电路设计
• 驱动电路设计

随着半导体器件的发展，IGBT越来越多的被应用到交流传动技术中。本文主要分析了IGBT构成的交流传动逆变器的主电路原理、逆变电路结构及缓冲保护电路结构，并对主电路的安装布局以及电压电流参数的选取做出了说明，同时提出了一种由M57959构成的IGBT驱动电路的设计。

1 主电路结构原理图

图1为典型的逆变器结构原理图。它由三部分组成：逆变电路、驱动保护电路、控制与信号采集电路。

逆变电路主要负责电能转化，即将输入的直流电能转化为电机负载可用的三相交流电能，为电机提供能源。图2所示为逆变电路原理图，这个逆变电路由6个绝缘栅双极晶体管T1～T6及续流二极管D1～D6组成。通过控制IGBT管T1～T6的通关断将输入的直流电源逆变成频率可调的矩形波交流电输出到三相电机。其续流二极管D1～D6的作用是当T1～T6由导通变为截止时，为储存在电动机线圈中的电能提供释放通道；当电动机制动时，为再生电流提供回流到直流电源的通道。

2 保护吸收电路结构

由于电路中分布电感的存在，加之IGBT开关速度较高，当IGBT关断时及与之并接的反向恢复二极管逆相恢复时，会产生很大的浪涌电压Ldi/dt，从而威胁IGBT的安全。因此必须采取措施抑制浪涌电压，保护IGBT不被损坏。可以采用加装保护吸收电路的办法来抑制浪涌电压。其原理图如图3所示，该保护吸收电路有良好的抑制效果，具有保护吸收中发生损耗小的优点。

2.1 保护电路原理分析
以开关管T1关断时刻为起点来分析吸收电路的工作原理，其工作过程可分为：线性化换流、母线寄生电感Lp谐振能量和吸收电容Cs放点共3个阶段。

线性化换流阶段从开关管T1接收关断信号开始到开关管T1全截止结束。流过母线寄生电感Lp的母线电流经T1和吸收电路2条支路分流。

在线性化换流阶段结束后，开关管T1完全截止。此时，主回路寄生电感Lp与吸收电容Cs产生谐振，Lp中储存的能量向Cs转移。当吸收电容上电压达到最大值，即谐振峰值时，谐振电流i为零，吸收电路二极管D2截止，箝位电压防止有振荡。

在第二阶段结束之后，吸收电容Cs上过冲能量通过吸收电阻R、电源和负载放电。在放电过程中，近似认为负载是恒流源。

2.2 元件参数选取
a.缓冲电容Cs选取
缓冲电路中缓冲电容Cs的电容取值为：

其中，L是主电路的寄生电感，Io为IGBT关断时的集电极电流，VCEP是缓冲电容器电压最终到达值，Ed为直流电源电压。

b.缓冲电阻Rs的取值
缓冲电阻的作用是在IGBI下一次关断前，将缓冲电容器电荷释放。因此在IGBT进行下一次动作之前，在储存电荷的90%放电条件下，缓冲电阻取值公式应满足下列公式：

其中，f为交换频率。

3 驱动电路结构

要保证IGBT工作可靠，其驱动电路起着至关重要的作用。

3.1 IGBT驱动电路要求
IGBT驱动电路的基本要求主要有以下几点：
(1)驱动电路必须十分可靠，要保证为IGBT的栅极电容提供一个低阻抗的充放电回路；
(2)在满足开关特性和功耗允许的情况下，门极电阻可以适当增大，用于限制瞬时压降尖峰；
(3)驱动电路能够传递kHz级的高频脉冲信号；
(4)IGBT门极与发射极电压极限压降为±20V。通常选用正向驱动电压为+15V，反向驱动电压为-8V。

3.2 M57959L构成的驱动电路
根据上述驱动电路设计原则，按照不同要求可以设计出多种形式的驱动电路。常用的驱动电路有分立元件构成的驱动电路和专用集成驱动电路。相对于分立元件构成的驱动电路，专用集成驱动电路抗干扰能力强、集成化程度高、速度快、保护功能完善，可实现IGBT的最佳驱动。

M57959L是日本三菱公司生产的混合集成IGBT驱动器，其内部原理结构如图4所示。它由高速光电隔离输入，绝缘强度高，可与TTL电平兼容。内藏定时逻辑短路保护电路，并具有保护延时特性。芯片由正负电源供电，克服了单电源供电时负电压不稳的缺点，驱动功率大，可驱动200A/600V或100A/1200V的IGBT模块。由M57959L构成的驱动电路如图5所示。

使用时应注意栅极电阻的取值。栅极电阻Rext的取值能够影响振荡的抑制效果、减缓开关开通时的di/dt、改善电流上冲波形、减小浪涌电压。从安全角度考虑，Rext应取较大值，但是较大的Rext影响开关速度，增加开关损耗；从提高工作频率出发，应取较小值。在满足开关频率的情况下，应取较大的Rext。

4 主电路安装与布局

由于IGBT开关频率非常快，同时功率也很高，由IGBT构成的逆变器会对其他部件产生很强的干扰。这些干扰不仅影响电路的正常工作，甚至有可能会使逆变器因为瞬时短路而损坏。因此，应对电磁干扰给予足够的重视，而合理的安装与布局能够减少电磁干扰。

常见的干扰及相应的措施有：
(1)隔离供电抑制IGBT开关干扰由于供电变压器的分布电容和耦合电感的影响，当其中一个IGBT导通或关断时产生的强尖峰脉冲会通过分布电容(电感)干扰其它IGBT的正常工作。因此，全桥逆变器的每一个触发电路必须隔离供电来抑制这种干扰。

(2)由于逆变器的平均工作电流和瞬时峰值电流很大，逆变电路中的漏电感，甚至很小的引线电感也不能忽略。如果不仔细设计PCB的布局，这些磁通会穿过闭合的PCB导线而形成电流。为此，可采取以下措施抑制干扰：
a，每一个IGBT的触发电路元件应集中在一个狭窄的区域，避免互相交叉；
b，同一相位的触发电路应相邻，而两组之间距离应相对较远；
c，PCB与IGBT之间的引线应尽可能短并互相绞合。

5 IGBT电压电流参数选取

在保护吸收电路中，当T1导通，T2截止时，T2承受的电压Uce2为：

考虑电网波动为+/-10%，T2成熟的电压为Uce2为：

再考虑到电路中开通关断瞬时电压，及IGBT模块承受电压应留有50%～80%的裕量，其所选模块电压BVce应为：

考虑电网的波动、启动时电流尖峰的影响，选择的IGBT模块Icm为：

其中，Pn为逆变器输出功率。δ为脉冲占空比，η为逆变器效率。

6 结束语

本文主要介绍了IGBT构成的电机传动用逆变器的主电路组成及IGBT参数选择，驱动电路、缓冲吸收电路的组成及参数选择以及主电路安装和布局应注意的问题，对实际应用中的逆变器设计有一定价值。