谈谈CMOS反相器的静态特性与动态特性-电子发烧友网

直观综述

反相器是所有数字设计的核心。静态CMOS反相器具有以下重要特性：

①输出高电平为V DD ，输出低电平为GND；

②属于无比逻辑，功能不受晶体管相对尺寸影响；

③具有低输出阻抗，输入电阻极高；

④理论上具有无穷大扇出，单个反相器可以驱动无穷多个门，增加扇出会增加传播延时，动态特性会变差，但不会影响稳态特性；

⑤在稳态工作情况下，电源线和地线之间没有直接通路，没有电流存在，意味着理论上没有静态功耗。

如下图是一个静态CMOS反相器的电路图，由一个上拉的PMOS器件和一个下拉的NMOS器件组成。通过使用MOS管的开关模型，可以将其等效成右边所示的反相器开关模型。当V in ＝VDD时，下拉NMOS器件开始工作，PMOS器件断开，将存储在负载电容CL上的电压放电至0V。当V in ＝0V时，上拉PMOS器件开始工作，NMOS器件断开，向负载电容CL充电至V DD 。

我们为什么要使用NMOS器件作为下拉器件，PMOS器件作为上拉器件呢？主要原因是PMOS器件是强1器件，而NMOS器件是强0器件。如下图所示，使用NMOS器件放电时可以将存储在负载电容CL上的电压放电至0V，而使用PMOS器件只能放电至|V Tp |。同样，使用PMOS器件充电时，可以向负载电容CL充电至V DD ，而使用NMOS器件只能充电至V DD -V Tn 。

PART TWO

静态特性

我们可以通过公式进行关系转换，将PMOS器件的I-V特性曲线转换到与NMOS器件相同的坐标系中。

然后利用图解法迭加NMOS和PMOS器件I-V特性曲线，便得到了如下图所示的负载曲线，图中红线代表PMOS器件，蓝线代表NMOS器件。

由于任何一个DC工作点成立，通过NMOS和PMOS器件的电流必须是相等的，再加上Vin是同样的，便可以找到图中的这些圆点，将这些圆点处的Vin和Vout整理出来，这样就得到了下图所示的反相器电压传输特性曲线。

电压传输特性曲线中有一个VM点，它便是开关阈值，一般定义为V in =Vout的点。图解法求VM是找出ｙ＝ｘ函数与电压传输特性曲线的交点。

公式法是使用手工分析的通用MOS模型，代入V in =V M 。假设两个器件处于速度饱和，忽略沟道长度调制效应，于是有

反相器在VM处的增益可以通过对Vin求导得到。假设两个器件处于速度饱和，不能忽略沟道长度调制效应。

在开关阈值附近对Vin求导，并求解：

噪声容限是指在前一级输出为最坏的情况下，为保证后一级正常工作，所允许的最大噪声幅度。

其中NMH指的是高电平噪声容限，NML指的是低电平噪声容限。V IL 、VIH可以在VTC中求增益等于-1的工作点得到。

动态特性

传播延时表示一个信号通过一个门时所经历的时间，定义为输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。

我们将充电过程的开关模型转换成一阶RC网络，列出电压关系：

同理，我们可以求出放电过程的传播延时t pHL ：

接下来我们看一下等效电阻的计算方法，计算通过NMOS晶体管放电时的等效电阻：

将等效电阻公式代入传播延时公式中，忽略沟道调制：

下图是CMOS反相器传播延时与电源电压的关系，我们可以观察到当V DD ?V tn +V DSATn /2时，延时对于电源电压的变化较不敏感；当VDD接近2VT时将看到延时开始迅速增长。

通过以上讨论，我们可以采取以下措施来减小传播延时：

① 减小负载电容C L ：包括三部分电容：门本身的内部扩散电容，互连线电容和扇出电容；

② 增加晶体管宽长比：会减小门的等效电阻，但增加晶体管尺寸也会增加本身的扩散电容，因而增加了C L ，当增加的扩散电容开始超过由连线和扇出形成外部负载，增加门的尺寸就不再对延时有贡献，这也被叫做自载效应；

③ 提高V DD ：会增加功耗，并且当增加的电压超过一定程度后改善非常有限。

功耗

CMOS反相器的总功耗分为动态功耗和静态功耗，我们首先看一下动态功耗。动态功耗主要有两种，由充放电电容引起的动态功耗和由直接通路电流引起的动态功耗。充放电电容引起的动态功耗大致过程是在充电过程中，一半能量被PMOS管消耗，一半能量存储在CL负载电容中；放电过程中，存储在电容上的能量被NMOS管消耗。

f 0→1 ：称为开关活动性，是消耗能量的翻转频率，也就是每秒通断次数

另一种动态功耗是由于输入波形存在上升和下降时间，导致在开关过程中从VDD到GND之间在短期内出现一条直流通路，造成短路电流。

每个开关周期消耗的能量：

由直接通路电流引起的动态功耗：

接下来，我们分析一下峰值电流Ipeak

? 当负载很大，输出的下降时间明显比输入上升时间大，输入在输出改变之前就已经通过了过渡区，PMOS的源漏电压近似为0，P管就基本关断了，所以Ipeak很小

? 反之，当负载很小，输出下降时间明显小于输入上升时间，PMOS的VDS大部分时间等于V DD ,所以导致了最大的短路电流

我们得到的结论是：使输出的下降时间大于输入上升时间可以减小短路功耗，但输出的上升/下降时间太大会降低电路速度，并在扇出门中引起短路电流。换句话说，当负载电容比较小时，直接通路电流引起的动态功耗将占主导，而当负载电容较大时，充放电负载电容引起的动态功耗将占主导。

静态功耗一般由源(或漏）与衬底之间的反偏二极管漏电和亚阈值漏电构成：

①源(或漏）与衬底之间的反偏二极管漏电

通常情况下非常小，该部分漏电是由热产生的载流子引起的，该数值随结温而增加，并且呈指数关系。

②亚阈值漏电

VGS接近阈值电压时会有源漏电流，在深亚微米工艺下，电源电压降低导致这一电流越发显著。

静态功耗计算公式为：

I stat ：指在没有开关活动存在时在电源两条轨线之间流动的电流。

CMOS反相器的总功耗为：

应当指出的是在典型的CMOS电路中由充放电电容引起的动态功耗占主导地位，直接通路电流引起的功耗可以通过设计控制在限定范围内，而漏电造成的静态功耗在未来的工艺制程下会占据更大比重。