你好!欢迎来到深圳市品慧电子有限公司!
语言
当前位置:首页 >> 技术中心 >> 电路保护 >> 具有反向阻断功能的新型 IGBT

具有反向阻断功能的新型 IGBT


【导读】新型 IGBT 已开发出来,具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能,例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为,并通过典型电路中的个样本进行了测量。


新型 IGBT 已开发出来,具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能,例如电流源逆变器、谐振电路、双向开关或矩阵转换器。本文介绍了单片芯片的技术及其运行行为,并通过典型电路中的个样本进行了测量。

简介:应用

需要具有反向阻断能力的单向电流可控开关的典型电路可分为:

传统电流源逆变器如图1所示
具有电流源的谐振转换器如图 2 所示
用于主电流路径中功率半导体软开关的辅助谐振电路
双向开关,如图 3 所示的矩阵转换器。


具有反向阻断功能的新型 IGBT
图 1 反激式

具有反向阻断功能的新型 IGBT
图2 逆变器

具有反向阻断功能的新型 IGBT


如果IGBT在电压、电流和频率方面都适用,那么迄今为止这种开关都是由不具有反向阻断能力的标准IGBT和串联二极管组成。相比之下,单片解决方案具有传导损耗更少、空间要求和成本更低等优势。

芯片技术


具有反向阻断功能的新型 IGBT
图4 NPT IGBT(左)和反向阻断IGBT(右)的芯片结构和符号


图 4(右)显示了反向阻断 IGBT 芯片的横截面示意图。绘制的单元结构将继续向左延伸,而带有用于结端接的保护环的芯片边缘显示在右侧。几何形状基本上对应于 NPT IGBT,如图 4(左)所示。如果没有场阑,NPT IGBT 无法阻止边缘处的显着负击穿。使用隔离扩散技术克服了这一限制,该技术在晶闸管芯片的生产中众所周知:它允许在芯片边缘折叠反向阻断 IGBT 较低的 p+ 层,如图 4 右侧所示。这样,p+ – n- 结保留在芯片内,终止于隔离顶部氧化层下方。因此,结点(无论如何都是 IGBT 的一部分)被正确端接,并且能够像 pn 二极管一样阻止反向电压。该措施不会改变芯片有效体积内的结构;因此可以预期,除了能够阻断反向电压之外,反向阻断 IGBT 将表现出与普通 NPT IGBT 类似的操作行为。


免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行处理。


推荐阅读:

离线 PFC-PWM 组合控制器

如何兼顾高性能和低功耗?这款生物电前端模拟芯片了解一下~

高精度温度测量

针对噪声模拟设计的 ASIC 修复

逆变器最佳组串及容配比设计


相关文章

    用户评论

    发评论送积分,参与就有奖励!

    发表评论

    评论内容:发表评论不能请不要超过250字;发表评论请自觉遵守互联网相关政策法规。

    深圳市品慧电子有限公司