2nm芯片研发遭遇瓶颈：没ASML下一代NA EUV光刻机搞不掂

日前，IMEC首席执行官Luc Van den hove在公开路线图时表示，当前的EUV光刻设备其实可以响应到2nm的微缩水平，不过，想要超越，必须要靠下一代高NA EUV光刻机。

他督促ASML在未来3年内，全力投产高NA光刻机。

所谓高NA也就是光刻机的透镜和反射镜数值孔径达到0.55，进而增加光刻分辨率，以便制备更精密的为电路图像。当前的EUV光刻机均停留在0.33的水平。

一切顺利的话，ASML会在明年推出其首款高NA EUV光刻机，Intel、三星和台积电都争相第一时间部署进厂，其中Intel下手最快。

这款光刻机价值高达4亿美元（约合26亿元人民币），组装好的体积有双层巴士大、重超200吨。