低成本和芯片堆叠技术有助于增强中国成熟工艺产能的竞争力

由于芯片产能过剩，芯片行业进入下行阶段，行业突然发现成熟工艺产能再次受到重视，而中国有望在成熟工艺产能方面居世界第一，低成本和芯片堆叠技术BSO613SPV有助于提高中国成熟工艺产能的竞争力。

据统计，自2019年以来，全球规划的芯片制造项目有86个，而中国大陆规划建设的芯片制造项目有31个，中国台湾省19个，美国12个。现在这些项目已经建成了。业内预计这些项目全部建成投产后，中国将拥有全球40%的成熟工艺产能。目前，中国已占全球芯片工艺产能的16%。

此前，全球芯片行业更加关注先进的工艺，台积电和三星从10nm直到如今的3nm工艺如火如荼，在先进的工艺方面已经赶上Intel，这使他们引起了全球的关注，但市场的变化可能使先进工艺的重要性不如以前。

原因是先进工艺的投资成本太高，台积电公布的数据显示7nmEUV工艺投资60亿美元，5nm翻倍至120亿美元，3nm工艺投资接近200亿美元，投资过高也导致先进工艺成本越来越高。

先进技术价格过高，芯片企业难以承受。此前确定使用台积电3nm工艺的只有Intel和苹果，但最近Intel的GPU研发困难将推迟一年，导致3nm将是唯一的客户，但即使有钱，苹果也只是最贵的计划iPhone14采用3nm工艺生产的A16处理器，不过由于台积电的3nm工艺赶不上A16处理器的量产时间而作罢，目前预计M系处理器会采用台积电的3nm工艺，高通、AMD等则要到明年底等待3nm工艺成本下降才会采用。

台积电也认识到先进工艺成本高的问题，开发了3D WOW包装技术，3D DWOW封装技术和7nm工艺是英国一家AI芯片企业生产芯片，最近台积电宣布扩张28nm由于这些成熟工艺成本较低，工艺产能较低。

台积电突然转向扩张28nm芯片企业在芯片下行阶段更注重成本，而成熟工艺生产的芯片成本更低，加上其3D WOW包装技术可以是28nm工艺生产的芯片辅以3D WOW包装技术14nm的性能。

就成熟技术而言，中国大陆恰恰有优势。目前，中国大规模扩张的成熟技术正好是28nm大陆芯片企业也开发了芯片堆叠技术，业内人士指出，该技术可以是28nm工艺生产的芯片性能提高到14nm与台积电3相当DWOW类似的包装技术。

对中国制造业来说，业界认为14nm该工艺足以满足国内70%芯片的需求，辅以芯片堆叠技术nm工艺芯片可以进一步提高性能，满足国内芯片90%的需求。中国预计未来三年将占全球成熟工艺产能的40%，这将对全球芯片产业产生很大影响。

至于成本，这是中国芯片的独特优势。此前，中国芯片表示，其芯片价格具有美国同类芯片的性能，但价格仅为后者的四分之一。因此，中国芯片有望在芯片下行阶段借此机会扩大市场份额。今年上半年，中国芯片出口增长了20%以上，竞争优势应该是低成本。

除了台积电回归发展成熟技术外，美国还开始投资成熟技术，预计将获得美国芯片制造获得520亿美元的部分补贴SkyWater计划建90座nm工艺生产线，但计划引进碳基芯片技术，3D芯片堆叠技术等方法大大提高了性能50倍，重新焕发了成熟技术的青春。

中国在碳基芯片、芯片新材料等方面也取得了一些突破，所以中国已经批量生产了14nm。未来，成熟技术也可能希望引入芯技术来提高性能，从而突破新芯片技术，这也可能是中国加大扩大成熟技术产能的原因。