美国全面卡死2nm？设计GAA技术芯片的EDA，不准卖到中国大陆

众所周知，三星在3nm芯片时，采用了GAAFET晶体管技术，这是相对于FinFET晶体管更先进的技术。

GAAFET晶体管技术为何更先进？原因在于GAAFET提供比FinFET更好的静电特性，在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力强化，尺寸可以进一步微缩，同时电压降低。

这就使得GAAFET晶体管，可以密度更高，同时电压更低，这样性能更强，功耗降低。

虽然目前在3nm技术上，三星使用GAAFET技术，而台积电使用FinFET技术，但到2nm时，不管是台积电，还是三星，或者intel都会使用GAAFET技术，因为FinFET技术，已经无法再微缩，实现不了2nm。

可以说，只要卡住GAAFET晶体管技术，就相当于卡住了2nm芯片技术。

而近日，外媒Protocol报道，美国准备对用于设计半导体的特定类型EDA软件实施新的出口限制。

按照报道，美国计划将使用于“Gate-all-around”（环绕栅极，GAA）新技术制造芯片所必需的EDA软件，列入禁止出口的清单中，不准卖到中国大陆来。

以往美国在芯片制造上，主要针对的是制造业，即不允许卖先进的半导体设备到中国大陆来，比如EUV光刻机等。

现在要禁止EDA工具，则意味着不仅是针对晶圆制造企业，针对的还有芯片设计企业了，因为没有EDA工具，在现在这样的情况下，再牛的芯片设计企业，也设计不出芯片来。

而目前EDA基本上是被Synopsys、Cadence和西门子EDA这三家巨头垄断的，特别是先进的设计工具。

而国产EDA，一方面是支持的工艺不够先进，二是流程不够齐全，所以在国内市场，这三大巨头也占了90%市场。

一旦用于GAAFET芯片技术的EDA被禁，那意味着不仅国内的晶圆制造进入不了2nm，连设计都卡住了，除非国产EDA跟上来，能够支持GAAFET技术。