三星宣布即将推出236层V-NAND 3D内存

除了美光和SK海力士宣布了200+层的NAND之后，三星也宣布正准备开始量产其第 8 代 236层V-NAND 3D内存，并为固态存储设备带来更高的性能和密度。

三星在 2013 年凭借 24 层 V-NAND 闪存领先竞争对手数年，其他公司也花了相当长的时间才赶上。但从那以后，这家韩国巨头变得更加谨慎，因为构建数百层的 NAND 变得越来越困难。今年，美光和 SK 海力士凭借 232 层和 238 层 3D TLC NAND 设备击败了三星。但据韩国商业报道，三星并没有停滞不前，正准备开始批量生产 236 层的 3D NAND 存储器（当然，将被命名为 V-NAND）。

三星在 2021 年年中生产了首批超过 200 层的 V-NAND 内存样品，因此它现在应该有足够的技术经验来启动此类设备的批量生产。不幸的是，目前很难判断三星即将推出的第 8 代 V-NAND 芯片的容量。尽管如此，我们确信该公司的下一代 NAND 内存目标之一将是更快的接口速度和其他性能特征，以实现下一代最佳 SSD。

为了为即将推出的具有 PCIe Gen5 接口的台式机和笔记本电脑以及支持 UFS 3.1 和 4.0 接口的智能手机构建具有竞争力的固态存储解决方案，三星需要具有高速接口的 NAND 器件。今天三星的 V7-NAND 已经具有高达 2.0 GT/s 的接口速度，但我们预计该公司将进一步提高其 V8-NAND 的接口速度。

三星第 8 代 V-NAND 的另一项期望是增加单元块大小并减少读取延迟，从而优化大容量 3D NAND 设备的性能。

虽然增加 NAND 层数有时被认为是闪存扩展的一种简单方法，但事实并非如此。使 NAND 层更薄（因此 NAND 单元更小）需要使用新材料来可靠地存储电荷。此外，由于蚀刻数百层具有挑战性（并且在经济上可能不可行），3D NAND 制造商需要采用串堆叠（string stacking）等技术来构建具有数百层的 3D NAND。三星尚未在其 176 层 V7-NAND 中采用串堆叠，但该技术是否会用于 236 层 V8-NAND 还有待观察。