应需而生!兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

中国北京(2022年8月19日)?— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)宣布,推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平,在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中,能显著降低运行功耗,有效延长设备的续航时间。

随着物联网技术的发展,新一代智能可穿戴设备需要拥有更丰富的功能来满足消费者的需求,这种空间敏感型产品对系统功耗提出了更严苛的要求,希望进一步提升产品的续航能力。从系统设计层面来看,一些先进工艺器件的工作电压已低至1.2V,如果所需的Flash可支持1.2V的电压操作,这对于主控而言,将能够有效简化电源设计并优化系统成本。

应此需求,兆易创新推出了GD25UF产品系列,该系列工作电压可扩展至1.14~1.6V,具有单通道、双通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式,支持不同容量选择,能够满足智能设备所需的代码存储要求。在读写性能方面,GD25UF最高时钟频率STR 120MHz,DTR?60MHz,拥有10万次的擦写寿命,数据有效保存期限可达20年。在安全性方面,该产品具有128bit Unique ID来实现加密效果,为应用带来高安全保障。

同时,为进一步满足低功耗的需求,GD25UF产品系列特别提供了Normal Mode和Low Power Mode 两种工作模式。在Normal?Mode下,器件读取电流在四通道120MHz的频率下低至6mA;在Low Power Mode下,器件读取电流在四通道1MHz频率下低至0.5mA,擦写电流低至7mA,睡眠功耗低至0.1uA。相比于1.8V供电的SPI NOR Flash,1.2V GD25UF系列在Normal?Mode下,相同电流情况下的功耗降低了33%,而在Low?Power Mode下,相同频率下的功耗降低了70%,有效延长了设备的续航时间。另外GD25UF系列产品的供电电压支持1.14~1.6V的宽电压范围,可显著延长单电池供电应用的使用寿命。并且该系列产品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封装,全温度工作范围覆盖-40℃~85℃,?-40℃~105℃, -40℃~125℃。

兆易创新存储器事业部执行总监陈晖先生表示:“GD25UF系列产品进一步丰富了兆易创新的Flash Memory产品线。其具备的1.2V低电压和超低功耗模式可以帮助小容量电池供电设备提高续航能力,即使在不可避免的电池衰减过程中,也可以保持出色且稳定的运行状态,增加应用的可靠性。如今,电池续航能力已经成为消费者选购产品的重要指标,GD25UF系列产品的问世会是下一代可穿戴设备的理想选择。作为国内外鲜少拥有1.2V SPI NOR Flash产品线的企业,兆易创新走在了需求前端,为下一代应用的设计开发缓解了压力,从一定程度上缩短了客户的研发成本,让他们能够在日益激烈的市场竞争中保持领先地位。”

目前,兆易创新GD25UF系列可提供64Mb容量样品,更多容量产品将陆续推出,客户可联络销售代表或授权代理商了解相关的信息。

关于兆易创新(GigaDevice)

兆易创新科技集团股份有限公司(股票代码603986)是全球领先的Fabless芯片供应商,公司成立于2005年4月,总部设于中国北京,在全球多个国家和地区设有分支机构,营销网络遍布全球,提供优质便捷的本地化支持服务。兆易创新致力于构建以存储器、微控制器和传感器业务板块为核心驱动力的完整生态,为工业、汽车、计算、消费电子、物联网、移动应用以及通信领域的客户提供完善的产品技术和服务,并已通过DQS ISO9001及ISO14001等管理体系的认证,与多家世界知名晶圆厂、封装测试厂建立战略合作伙伴关系,共同推进半导体领域的技术创新。

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