中芯国际公布核心技术家底：最新55nm已研发成功

中芯国际成功开发了 0.35 微米至 FinFET 的多种技术节点，主要应用于逻辑工艺技术平台与特色工艺技术平台。

2022 年上半年，多个平台开发按计划进行，稳步导入客户，正在实现产品的多样化目标。

报告期内，55 纳米 BCD 平台第一阶段已完成研发，进入小批量试产。

其他在研的工艺还包括FinFET衍生技术平台、22纳米低功耗工艺平台、28纳米高压显示驱动工艺平台、40纳米嵌入式存储工艺平台、4XNOR Flash工艺平台等等，都是国内领先的工艺水平，适用于智能家居、消费电子、AMOLED屏幕、汽车电视、电源管理、虚拟显示等等领域。

根据中芯国际所说，截至本报告期内，累计申请专利18347个，获得批准的专利累计12778个，研发人员总数1864人，占公司员工总数9.6%，平均薪酬为15.4万元。