台积电将于2025年量产2纳米芯片

8月30日，在“2022台积电技术论坛”上，台积电CEO魏哲家表示，台积电的3纳米芯片即将量产，但并不是大家此前预想的GAA架构，而是选择延用FinFET架构。至于2纳米芯片，可以保证会在2025年量产。

魏哲家指出，台积电3纳米的研发依旧困难重重，工程能力欠缺，正在努力加快量产。最终决定采用FinFET架构的主要原因是既要实用，还要低成本，这样才能更好地满足客户产品需求，也能保证稳定的供应能力。而2纳米将用新的纳米片(nanosheet)技术，在相同功耗下，相比3纳米，速度将增快10%~15%，如在相同速度下，功耗则降低25%~30%，成为电晶体密度最小、效能最佳的先进制程技术。

会上，魏哲家还分享了他观察到的目前半导体制造的三大改变：一是过去的电晶体制造技术已经不能满足需求，需要向3D IC堆叠的方向发展。二是所有应用产品中，半导体含量都在持续增加。目前，每年汽车内的半导体含量都增加了近15%。以前台积电只是在先进制程研发方面的投资比较多，但随着CMOS、RF等技术不断进步，现在成熟制程也需要更多投资，两者一样重要。三是供应链管理是最重要的因素，一个全球化有效率的供应系统时代已经过去，所有成本都会急速增加，台积电将与客户紧密合作降低风险。

据悉，台积电正在快速扩产，2017—2019年，平均每年新建2座晶圆厂，2020—2022年平均每年新建6座晶圆厂。

此外，台积电也在加强与客户的合作。据了解，目前英伟达正加紧与台积电在高端芯片上的合作；高通的骁龙8 Gen2也将采用台积电4纳米制程；苹果已启动M3芯片核心设计，预期采用台积电3纳米N3E制程量产，这也是3纳米制程应用的第一款产品。