台积电CTO预计高NA光刻后时代的芯片制造成本会暴涨

在接受 Bits & Chips 采访时，台积电首席技术官 Martin van den Brink 预计 —— 在不远的将来，半导体光刻技术或走到尽头。按照现有的路线图，台积电将在极紫外光刻（EUV）之后转向高数值孔径。该公司现正携手 Imec，准备 2023 年迎来其首台研究型 High-NA 扫描仪。

如果一切顺利，ASML 有望 2024 年交付首台研发机器，并于 2025 年的某个时候迎来首批使用 High-NA 的量产设备。不过出于对当前供应链不确定性的担忧，这一最终时机或有所改变。

正因如此，当前订单将是优先事项。如有需要，Hign-NA 的开发可能会被搁置。或正如 Martin van den Brink 所述 ——“当下吃饱，比明日吃好更加重要”（today's meal takes priority over tomorrow's）。

此外作为光刻技术发展的下一阶段，预计 High-NA 扫描仪将比 EUV 更耗电、各阶段功率约 2 兆瓦，且制造和使用成本都会高到让人望而却步。

Martin van den Brink 总结道：若“超数值孔径”（hyper-NA）的成本暴涨类似“高数值孔径”（Hign-NA），那在克服该问题之前，它在经济效益层面几乎就是不可行的。