佳能21年来首次新建光刻机工厂，欲将产能翻倍

近日，日本佳能公司表示，将投资超500亿日元（约合24.6亿元人民币），在日本栃木县宇都宫市新建半导体设备工厂，占地面积约7万平方米，主要增产光刻设备，建成后预计产能将提高2倍。新工厂计划于2023年开工，2025年春季投入运行，这也是佳能21年来首次扩产半导体光刻机设备。

据悉，佳能目前在宇都宫事务所和阿见事务所等2处工厂内生产半导体光刻设备，主要用于制造汽车控制等的半导体产品。市调组织SEMI的数据显示，2022年第二季度全球半导体设备市场出货264.3亿美元，同比增长6%。为了应对需求的不断增长，佳能一直在积极增产，今年的目标是销售180台光刻设备，将比2021年增加约30%。

此外，佳能还将推进新一代设备的开发。此前，全球最大的光刻机设备供应商荷兰阿斯麦（ASML）首席技术官MartinvandenBrink表示，ASML最新研发的High-NA技术很可能将成为EUV光刻技术的终点。于是更多的企业和大学都在想方设法绕道而行，目前已经有多项技术脱颖而出。像是美国原子级精密制造工具的纳米技术公司ZyvexLabs推出的光刻系统“ZyvexLitho1“，其基于STM扫描隧道显微镜，使用的是EBL电子束光刻方式。此外还有多电子束直写光刻机（MEB）、定向自组装技术（DSA）以及纳米压印技术（NIL）等技术。

其中NIL技术也被视为是最佳替代方案。据了解，NIL技术（纳米压印微影技术）是在一个特殊的“印章”上，先刻上纳米电路图案，然后再将电路图案“压印”在晶圆上，就像盖章一样。由于没有镜头，NIL技术比EUV要省钱很多。根据佳能等厂商发布的消息，NIL的耗电量可压低至EUV生产方式的10%，设备投资也将降低至40%。

佳能与铠侠、大日本印刷等半导体企业，从2017年就开始合作研发NIL的量产技术。目前已成功掌握15纳米量产技术，铠侠已经将NIL技术应用到了15nmNAND闪存器上，正在进行15纳米以下技术研发，有望在2025年推出采用NIL技术的5nm芯片。