存储是主发力领域，三星公布未来3大规划方向

据业内消息，近日三星在一年一度的技术日研讨会上公布了未来的3大规划方向，其中包括1.4纳米的代工制程工艺以及包括NAND、DRAM在内的各类内存和无晶圆厂的整体解决方案。

从5年前开始，三星都坚持每年举办的技术日研讨会，会上三星会讨论些发布的新技术、半导体行业的趋势和现状以及未来的阶段性规划内容。在本届的会上，在三星为其即将推出的 1.4纳米制程工艺、内存路线图以及扩大其行业影响力的目标制定了计划。

一直以来三星都和和台积电一样是行业内代工工艺的最前沿，三星代工业务总裁兼负责人Siyoung·Choi博士谈到了三星芯片生产的未来规划，以及全球短缺对其代工厂业务的影响。其表示，三星目前需要提高整体产能并引领最先进的技术，同时进一步扩大硅片规模并通过应用继续进行技术创新。

在今年的早些时候，三星就开始开始为客户生产首批基于3nm的芯片，由于采用了3nm全环栅(GAA)技术，这些新芯片的性能提高大约30%，而且功耗会大幅减少，而该芯片比5nm芯片占用的空间最大减少35%。

目前三星一斤刚开始规划在2025年开始量产采用2纳米工艺的芯片，而在当前这个时间点，消费市场的大多数高级别的产品还在由基于5nm工艺构建的SoC提供支持。而且按照三星的规划，预计在2027年左右达到1.4纳米工艺节点，并计划在同年将其先进节点产量提高两倍。

除此之外三星还推出了其第8代和第9代的V-NAND产品以及第5代DRAM产品。三星目前为V-NAND提供512 Gb TLC产品，而按照之前的规划，今年的后半年会发布1 TB的TLC 版本。

目前三星的第5代DRAM产品10nm (1b)器件按照计划将会在后面进入量产阶段，至于未来的其他DRAM解决方案，包括32 Gb DDR5解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM以及36 Gbps GDDR7?DRAM都在按照规划进行中。

三星表示需要大约8年的时间就能实现1000层的V-NAND，而目前就此计划正在进行架构过渡，也就睡从其当前的TLC架构过渡到QLC架构，因为后者可以增加密度并实现更多的层数。

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