中美研究人员实现亚0.5nm电介质与2D半导体集成
中国北京大学和美国德克萨斯大学奥斯汀分校联合研究团队实现亚0.5nm电介质与2D半导体集成。研究人员使用一种名为紫外线辅助插层氧化的工艺来合成硒-铋氧化物二维材料,使其拥有高介电常数、超平坦的晶格匹配界面和出色的绝缘性。
经测试,这种材料的等效氧化物厚度(EOT)低至0.41nm时,其在1伏特栅极电压下的漏电流仍处于超低水平,满足下一代晶体管电介质的工业要求。这表明,该新型材料有望用于开发二维晶体管中的超薄高介电常数栅极电介质,帮助实现晶体管的小型化。获 取 更多前沿科技?研究 进展访问:https://byteclicks.com
研究成果发表在Nature Electronics?(2022)上。
版权声明:除特殊说明外,本站所有文章均为 字节点击 原创内容,采用 BY-NC-SA 知识共享协议。原文链接:https://byteclicks.com/42375.html 转载时请以链接形式标明本文地址。转载本站内容不得用于任何商业目的。本站转载内容版权归原作者所有,文章内容仅代表作者独立观点,不代表字节点击立场。报道中出现的商标、图像版权及专利和其他版权所有的信息属于其合法持有人,只供传递信息之用,非商务用途。如有侵权,请联系 gavin@byteclicks.com。我们将协调给予处理。
赞