华天昆山“12英寸圆片级高密度硅基扇出型封装技术的研发及产业化”项目荣获首届“金π奖”

2020年3月27日，昆山市科技创新发展推进会暨祖冲之攻关计划表彰仪式举行。

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华天科技（昆山）电子有限公司的“12英寸圆片级高密度硅基扇出型封装技术的研发及产业化”项目荣获首届“金π奖”，也是唯一获得金π奖的项目。

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华天昆山2015年开始扇出封装技术开发，2018年开发成功具有自主知识产权的埋入硅基板扇出型封装技术eSiFO?（embedded Silicon Fan-out）并进入量产。与使用模塑料塑封不同，eSiFO?使用硅基板为载体，通过在硅基板上刻蚀凹槽，将芯片正面向上放置且固定于凹槽内，芯片表面和硅圆片表面构成了一个扇出面，在这个面上进行多层布线，并制作引出端焊球，最后切割，分离、封装。

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eSiFO?技术具有如下优点：

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可以实现多芯片系统集成SiP，易于实现芯片异质集成；

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满足超薄和超小芯片封装要求；

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与标准晶圆级封装兼容性好，无污染；

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良好的散热性和电性；

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可以在有源晶圆上集成；

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工艺简单，翘曲小，无塑封/临时键合/拆键合；

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封装灵活：WLP/BGA/LGA/QFP等；

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与TSV技术结合可实现高密度三维集成。

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由于技术的创新型和巨大应用潜力，2018年3月获评集成电路产业技术创新联盟创新奖。

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该技术目前有三个主要应用领域，多芯片系统级封装，5G毫米波射频以及三维扇出堆叠。在5G射频领域，其中多芯片堆叠产品包括4G 射频前端，毫米波芯片。2018年11月，华天科技与微远芯发布新闻，成功完成40GHz毫米波eSiFO?封装技术开发，性能优异。

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2018年华天昆山进一步开发了基于硅基板的三维扇出技术，值得一体的是埋入硅基板扇出型3D封装结构已获得国家发明专利授权（授权号CN105575913B）。该技术的特点是利用TSV作为垂直互联，互连密度可以大大高于目前的台积电InFO技术。

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eSiFO?封装技术为后摩尔时代高性能芯片集成封装提供了新的解决方案，随着产品应用的不断丰富，必将推动整个行业的技术发展。

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（来源：芯思想）