格芯发力氮化镓

近日，美国参议员Patrick Leahy和格罗方德(GF)宣布，将授予后者3000万美元的联邦资金，用于推动下一代硅基氮化镓(GaN)的开发和生产。

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该消息是在格芯工厂举行的一场活动中宣布的，出席者包括参议员Leahy、格芯总裁兼首席执行官Thomas Caulfield博士、格芯佛蒙特工厂副总裁兼总经理Ken McAvey、大伯灵顿工业公司总裁Frank Cioffi、GFFab团队成员及其他嘉宾。作为2022财年综合拨款法案拨款的3000万美元联邦资金将使格芯能够购买工具并扩展200毫米GaN晶圆制造的开发和实施。将规模化的GaN制造纳入Fab的能力进一步巩固了该工厂在射频半导体技术方面的长期全球领导地位，并使格芯在制造用于高功率应用（包括电动汽车、工业电机和能源应用）的芯片方面处于领先地位。

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格芯位于佛蒙特州伯灵顿附近的埃塞克斯交界处的工厂是美国首批主要的半导体制造基地之一。如今，有近2,000名格芯员工在该工厂工作，每年的晶圆制造能力超过600,000片。这些GF制造的芯片基于GF的差异化技术构建，用于全球智能手机、汽车和通信基础设施应用。

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（来源：半导体行业观察/JSSIA整理）