浙江大学杭州国际科创中心50mm厚6英寸碳化硅单晶生长成功

浙大杭州科创中心发布消息称，近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室和浙江大学硅材料国家重点实验室在浙江省“尖兵计划”等研发项目的资助下，成功生长出了厚度达到50 mm的6英寸碳化硅单晶。

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该重要进展意味着，碳化硅衬底成本有望大幅降低。目前，国内碳化硅单晶的直径已经普遍能达到6英寸，但其厚度通常在~20-30mm之间，导致一个碳化硅晶锭切片所获得的碳化硅衬底片的数量相当有限。

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50mm厚度的实现，一方面节约了昂贵的碳化硅籽晶的用量，另一方面使一个碳化硅单晶锭切片所获得的碳化硅衬底片数量能够翻倍，所以能够大幅降低碳化硅衬底的成本。

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（来源：集微网/JSSIA整理）