湖南三安半导体项目二期工程开工

近日，湖南三安半导体项目二期项目工程正式开工。

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资料显示，湖南三安半导体项目总投资约160亿元，占地面积约1000亩，主要建设具有自主知识产权，以碳化硅、氮化镓等为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地。项目分两期建设，建设周期为48个月。一期项目主要聚焦碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设，项目产品主要应用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线（5G）通讯等领域。二期项目总投资80亿元，占地面积480亩，按照规划，二期项目预计将于今年内建成投产。

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2021年6月，项目一期已实现点亮试投产，成为国内首条、全球第三条SiC垂直整合产线，产线覆盖衬底材料、外延生长、晶圆制造、封装测试等主要环节，建成后可实现6英寸SiC晶圆月产能30000片。

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据悉，目前一期项目长晶、衬底、外延、芯片车间已全线正式批量生产，月产能力2万片。整个项目达产后，将实现年产值120亿元，年税收13亿元，增加就业1.2万人。

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（来源：SEMI/JSSIA整理）