8英寸导电碳化硅衬底晶片在徐州发布

11月15日，在第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议暨首届第三代半导体徐州金龙湖峰会上，8英寸导电碳化硅衬底晶片发布。该产品将有助于降低芯片制造成本，助力徐州经开区半导体产业发展。

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8英寸导电碳化硅衬底晶片由北京天科合达半导体股份有限公司生产，主要应用新能源汽车、光伏等领域。该公司副总经理、技术总监刘春俊介绍，在碳化硅器件各环节中，衬底占成本的近50%。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低，8英寸衬底晶片产品比6英寸产品可多切近90%的芯片，边缘浪费降低7%。

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徐州经开区坚持把半导体产业作为重点发展的战略性新兴产业之一，近年来实现此前国内空白的鑫华电子级多晶硅、鑫晶12英寸大硅片通线量产，中科智芯晶圆级先进封装、晶凯存储芯片封装模组等一批重大项目成功落地。今年前10个月，该产业实现产值87亿元、同比增长52%。徐州市委常委、经开区党工委书记张克表示，经开区将加快推进天科合达二期年产16万片碳化硅衬底晶片以及三期100万片外延片、华盛盈科碳化硅封测及模组等项目，支持中科汉韵碳化硅功率器件达产达效，全力构建衬底、外延片、器件、封测等较为完备的第三代半导体产业链。

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