让衣服进行神经形态计算:中国团队在低功耗柔性电子领域取得突破
随着传统的互补金属氧化物半导体集成电路尺寸正在接近物理极限,新型的神经形态计算芯片逐渐发展成为一种潜在的低功耗和高效率的解决方案。具有显示、传感、能量采集和能量存储功能的电子纺织品作为新一代可穿戴电子产品,展现出巨大的应用前景。将神经形态计算忆阻器无缝集成到电子纺织品中,对于有效存储和处理来自功能电子元件的信号至关重要。
近日,复旦大学微电子学院陈琳教授团队成功在低功耗神经形态电子织物领域获得原创性成果,工作进展以“Reconfigurable neuromorphic memristor network for ultralow-power smart textile electronics”为题发表在Nature Communications。
本工作提出了一种同时具有人工突触和神经元功能的可重构神经形态织物忆阻器件网络,可以在同一单元实现神经突触可塑性和神经元发放功能,在降低神经元电路的复杂性方面表现出明显的优势。
在这项工作中,织物型神经元忆阻器件展现出迄今为止所报道的最低的神经元功耗,发放过程中的功耗低至1.9 fJ/尖峰,在降低神经形态硬件系统的能耗方面具有极大的应用前景。研究团队通过整合可重构的突触、神经元和加热织物电阻,成功构建了神经形态织物系统,用于智能织物应用,为实现下一代神经形态可穿戴电子提供了独特的功能重构途径。获 取 更多硬科技?前沿访问:https://byteclicks.com
三维神经形态织物电子
版权声明:除特殊说明外,本站所有文章均为 字节点击 原创内容,采用 BY-NC-SA 知识共享协议。原文链接:https://byteclicks.com/44160.html 转载时请以链接形式标明本文地址。转载本站内容不得用于任何商业目的。本站转载内容版权归原作者所有,文章内容仅代表作者独立观点,不代表字节点击立场。报道中出现的商标、图像版权及专利和其他版权所有的信息属于其合法持有人,只供传递信息之用,非商务用途。如有侵权,请联系 gavin@byteclicks.com。我们将协调给予处理。
赞