三菱电机开始提供集成SBD的SiC-MOSFET模块样品
【导读】三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms。将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流系统提供更大功率密度、更高效率和可靠性。该产品正在PCIM Europe 2023（5月9-11日，德国纽伦堡）上展出。
3.3kV 集成SBD SiC-MOSFET 模块
近年来，为降低全球社会范围内的碳排放，功率半导体器件正越来越多地被用于高效电力变换场合，特别是在重工业中，这些器件被用于变流器设备，如轨道牵引中的变流系统和直流输电系统。其中，SiC功率半导体能够大幅降低功率损耗，人们对其期待很高。此外，对于大型工业设备，为了进一步提高其转换效率，对高效率功率半导体模块的需求不断增加。
为进一步为大型工业变流设备的高功率输出、高效率和高可靠性做出贡献，三菱电机开发了这款SiC MOSFET模块，采用内置SBD的SiC MOSFET芯片和优化的内部封装结构，能有效降低开关损耗，将很快开始提供样品。至此，三菱电机3.3kV LV100封装共包含4款SiC MOSFET模块和2款Si IGBT模块。
产品特点
1. 集成SBD的SiC-MOSFET，降低功率损耗，提高变流器输出功率、效率和可靠性
2. 采用集成SBD的SiC MOSFET和优化的封装结构，与公司现有的硅功率模块相比，开关损耗降低了91%*4，与现有的全SiC功率模块相比降低了66%*5，从而降低了变流器功率损耗，并有助于提高输出功率和效率。
3. 集成SBD的SiC MOSFET和优化的电流容量提高了变流器的可靠性。
4. 优化的端子布局，适用于不同容量大小的变流器
5. 优化的端子布局利于并联连接，通过并联不同的数量实现变流器的灵活功率配置。
6. 直流和交流主端子布置在两端的封装设计，有助于简化电路设计。
主要规格
本产品为符合《出口贸易管制令》附表1第2（41）3项的产品。
*1：Schottky Barrier Diode
*2：Silicon Carbide碳化硅
*3：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
*4：3.3kV/600A 硅功率模块(CM600DA-66X)
*5：3.3kV/750A全SiC功率模块 (FMF750DC-66A)
关于三菱电机
三菱电机创立于1921年，是全球知名的综合性企业。在2022年《财富》世界500强排名中，位列351名。截止2022年3月31日的财年，集团营收44768亿日元(约合美元332亿)。作为一家技术主导型企业，三菱电机拥有多项专利技术，并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场，三菱电机从事开发和生产半导体已有60余年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。
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