SK海力士发布300层堆叠NAND Flash
【导读】在日前的第 70 届 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 期间，韩国存储芯片大厂 SK 海力士（SK Hynix）展示了最新300 层堆叠第 8 代 3D NAND Flash的原型，令与会者大吃一惊。
3月20日消息，在日前的第 70 届 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 期间，韩国存储芯片大厂 SK 海力士（SK Hynix）展示了最新300 层堆叠第 8 代 3D NAND Flash的原型，令与会者大吃一惊。
SK海力士在会议在发表会的标题订为 “高密度存储和高速接口”，其中描述了该公司将如何提高固态硬盘的性能，同时降低单个 TB 的成本。
据介绍，SK海力士第 8 代 3D NAND 堆叠超过 300 层，容量为 1Tb（128GB），具有 20Gb/mm2 单位容量、16KB 单页容量（page size）、拥有四个 planes，接口传输速率为2400 MT/s。最大数据传输速率将达到 194 MB/s，相较上一代 238 层堆叠和 164 MB/s 传输速率的第七代 3D NAND Flash高出 18%。而在更快的输入和输出速度下，有助于 PCIe 5.0 x4 或更高的接口利用率。
新 NAND 的位密度增加近一倍，意味着将显著提高新制造节点的每晶圆生产率，也将降低 SK 海力士的成本，只是尚不清楚具体程度。
据 SK 海力士研发团队的说法，第 8 代 3D NAND Flash 采用了 5 项崭新的技术。
首先，其拥有三重验证程序(TPGM) 功能可缩小单元阈值电压分布，并将 tPROG （编程时间） 减少 10%，从而转化为更高的性能。
其次，采用 Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP) 技术，再将 tPROG 降低约 2% 。
第三，APR方案可将读取时间降低约 2%，并缩短字线上升时间。
第四，编程虚拟串 (PDS) 技术可藉由降低通道电容负载来缩短 tPROG 和 tR 的界线稳定时间。
最后，平面级读取重试 (PLRR) 功能，允许在不终止其他平面的情况下，更改平面的读取级别。之后，立即发出后续读取命令，并提高服务质量 (QoS)，从而提高读取性能。
由于 SK 海力士针对新产品还在开发中，因此该公司尚未透露生产最新一代 3D NAND Flash 的量产时间。尽管如此，分析师预计该300层3D NAND Flash将于 2024 年年底或者 2025 年年初上市发售。
（来源：芯智讯)
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