东芝推出150V N沟道功率MOSFET，有助于提高电源效率
【导读】中国上海，2023年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时，与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢复电荷减少约74%，反向恢复[5]时间缩短约44%，上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6]，降低了开关电源的功率损耗，有助于提高系统效率。此外，与TPH9R00CQH相比，新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压，有助于降低电源的EMI。
该产品采用业界广泛认可的表面贴装型SOP Advance（N）封装。
此外，东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝利用该产品还开发出了“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”与“采用MOSFET的3相多电平逆变器”参考设计。即日起可访问东芝官网获取上述参考设计。除此以外，新产品还可用于已发布的“1kW全桥DC-DC转换器”参考设计。
东芝将继续扩大自身的功率MOSFET产品线，以降低功率损耗、提高电源效率，并助力改善设备效率。
应用
- 工业设备电源，如用于数据中心和通信基站的电源
- 开关电源（高效率DC-DC转换器等）
特性
- 业界领先的[2]低导通电阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）（VGS＝10V）
- 业界领先的[2]低反向恢复电荷：Qrr＝34nC（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 业界领先的[2]快速反向恢复时间：trr＝40ns（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 高额定结温：Tch（最大值）＝175℃
主要规格
参考设计：“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”
参考设计：“采用MOSFET的3相多电平逆变器”
注：
[1] 截至2023年3月的数据。
[2] 截至2023年3月，与其他150V产品的对比。东芝调查。
[3] 采用当前一代U-MOSVIII-H工艺的150V产品。
[4] 产品采用与TPH9R00CQ5相同的生产工艺，并具有相同的电压和导通电阻。
[5] MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。
[6] 如果新产品用于不执行反向恢复操作的电路，则功耗相当于TPH9R00CQH的水平。
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