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ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET,有助于提高应用设备工作效率


【导读】全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品(40V/60V/80V/100V/150V),这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用,例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。


新推出40V~150V耐压的共13款产品,非常适用于工业设备电源和各种电机驱动


全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品(40V/60V/80V/100V/150V),这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用,例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。


ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET,有助于提高应用设备工作效率


近年来,全球电力需求量持续增长,如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题,这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中,中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中,制造商要求进一步降低功耗。另一方面,“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数,但对于普通的MOSFET而言,由于导通电阻与芯片尺寸成反比,Qgd会成比例增加,因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题,ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施,改善了两者之间的权衡关系。


新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能,还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装,实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻(Ron)*2,相比以往产品,导通电阻降低了50%。另外,通过改进栅极结构,Qgd*3(栅-漏电荷,通常与导通电阻之间存在权衡关系)也比以往产品减少了约40%(Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较)。这可以降低开关损耗和导通损耗,非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如,当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时,新产品在稳态工作时的输出电流范围内,实现了业界超高的电源效率(峰值时高达约95%)。


新产品已于2023年1月开始暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格500日元/个,不含税)。另外,新产品也已开始电商销售,从Ameya360,Sekorm, Oneyac,RightIC等电商平台均可购买。


未来,ROHM将继续开发导通电阻更低的MOSFET,通过助力各种设备降低功耗和更加节能,为环境保护等社会问题贡献力量。


ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET,有助于提高应用设备工作效率 ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET,有助于提高应用设备工作效率


<产品阵容>


ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET,有助于提高应用设备工作效率


<应用示例>


◇通信基站和服务器用的电源


◇工业和消费电子产品用的电机


以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。


<电商销售信息>


起售时间:2023年4月开始


电商平台:Ameya360,Sekorm, Oneyac,RightIC


在其他电商平台也将逐步发售。


ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET,有助于提高应用设备工作效率


<术语解说>


*1) Nch MOSFET


通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。


与Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻,并且在各种电路中具有更出色的易用性,因而目前在市场上更受欢迎。


*2) 导通电阻(Ron)


MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小,导通时的功率损耗越少。


*3) Qgd(栅-漏电荷)


MOSFET开始导通后,栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小,开关速度越快,开关时的损耗(功率损耗)越小。


【关于罗姆(ROHM)】


罗姆(ROHM)成立于1958年,由起初的主要产品-电阻器的生产开始,历经半个多世纪的发展,已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是:“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难,都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品,并为文化的进步与提高作出贡献”。


罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域,其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中,罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许,成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。


【关于罗姆(ROHM)在中国的业务发展】


销售网点:起初于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体(上海)有限公司, 2006年成立了罗姆半导体(深圳)有限公司,2018年成立了罗姆半导体(北京)有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求,罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的垂直整合体制。作为罗姆的特色,积极开展“密切贴近客户”的销售活动,力求向客户提供周到的服务。目前在中国共设有20处销售网点,其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其16家分公司(分公司:大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆、福州)。并且,正在逐步扩大分销网络。


技术中心:在上海和深圳设有技术中心和QA中心,在北京设有华北技术中心,提供技术和品质支持。技术中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员,可以从软件到硬件以综合解决方案的形式,针对客户需求进行技术提案。并且,当产品发生不良情况时,QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。


生产基地:1993年在天津(罗姆半导体(中国)有限公司)和大连(罗姆电子大连有限公司)分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产,在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产,作为罗姆的主力生产基地,源源不断地向中国国内外提供高品质产品。


社会贡献:罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作,积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议,积极地展开关于电子元器件先进技术开发的产学联合。2008年,在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”,并已于2011年4月竣工。2012年,在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”,从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术(结构设施健康监测)、人工智能(机器健康检测)等联合研究项目。除清华大学之外,罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作,不断结出丰硕成果。


罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础,通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制,与客户构筑坚实的合作关系,作为扎根中国的企业,为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。


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