密度提升10倍，Intel展示新一代3D封装技术

“Intel组件研究主管兼高级首席工程师Paul·Fischer表示，目前研究团队主要通过3个关键领域的创新进展来保证摩尔定律，分别是小芯片平滑集成的3D混合键合封装技术、使用超薄2D材料作为通道的高密度晶体管技术以及提高性能的能效与存储器升级技术。

据业内消息，近日Intel在业内知名的IEDM大会公布了多项研究成果，其中有可将密度再提升10倍的3D封装技术。

Intel组件研究主管兼高级首席工程师Paul·Fischer表示，目前研究团队主要通过3个关键领域的创新进展来保证摩尔定律，分别是小芯片平滑集成的3D混合键合封装技术、使用超薄2D材料作为通道的高密度晶体管技术以及提高性能的能效与存储器升级技术。

Intel关于集成小芯片的3D混合键合封装技术主要是用于堆叠和电连接形成小芯片的硅管芯(微型管芯)的技术可大致分为两种类型：微凸点连接和混合键合。

混合键合封装是一种理论上可以缩短连接间距且增加连接面积密度的技术。通过改进混合键合技术，Intel将连接间距从2021年的不足10μm缩短至3μm。

当转换为连接密度的时候高出10倍，Intel实现了与单片式系统级芯片连接相似的互连密度和带宽，而且混合键合技术还支持多个小芯片直堆叠。