意法半导体发布新型大功率SiC功率模块 提高EV性能和续航里程

STMicroelectronics发布了用于电动汽车的大功率模块，可提高性能和续驶里程。ST 的新型碳化硅 (SiC) 功率模块已被现代的 E-GMP 电动汽车平台选用，该平台与起亚 EV6 和多款车型共享。

五款新的基于 SiC-MOSFET 的功率模块为汽车制造商提供了灵活的选择，涵盖了一系列额定功率并支持电动汽车 (EV) 牵引应用中常用的工作电压。功率模块采用意法半导体针对牵引应用优化的 ACEPACK DRIVE 封装，采用烧结技术，性能可靠，坚固耐用，制造商可轻松将其集成到 EV 驱动器中。

在内部，主要的功率半导体是 ST 的第三代 (Gen3) STPOWER SiC MOSFET，它结合了业界领先的品质因数（R?_DS(ON)?x 芯片面积）（R?_DS(ON)?= 漏源导通电阻），具有极低的开关能量和超强的同步整流性能。

ST已经为全球超过300万辆量产乘用车提供了STPOWER SiC器件。与传统的硅功率半导体相比，更小的 SiC 器件可以处理更高的工作电压，从而实现更快的充电速度和卓越的车辆动态性能。能源效率也得到提高，从而增加了行驶里程，并且可以扩展可靠性。

SiC 在多个 EV 系统中得到广泛采用，例如 DC-DC 转换器、牵引逆变器和车载充电器 (OBC)，双向操作可用于车辆到电网的电力传输。随着最近宣布在卡塔尼亚建立完全集成的 SiC 衬底制造工厂，预计将于 2023 年投产，意法半导体正在迅速采取行动，以支持市场向电动汽车的快速转型。

ST 1200V ADP280120W3、ADP360120W3、ADP480120W3(-L) 已全面投产。750V ACEPACK DRIVE ADP46075W3 和 ADP61075W3 将于 2023 年 3 月全面投产。它们为牵引逆变器提供了即插即用的解决方案，兼容直接液体冷却，并具有针鳍阵列以实现高效散热。

它们的额定最高结温为 175°C，可提供持久可靠的压接连接和烧结到基板上的芯片，以确保延长汽车应用的使用寿命。ST 将扩展产品组合以包括 IGBT 和基于二极管的 ACEPACK DRIVE 版本。获 取 更多硬科技?前沿访问：https://byteclicks.com

这些模块采用活性金属钎焊 (AMB) 基板技术，以出色的热效率和机械强度着称，为每个基板安装专用 NTC。它们还可以选择焊接或螺钉安装的母线，从而可以灵活地满足不同的安装要求。长母线选项允许选择霍尔传感器来监控电机电流，从而进一步扩展了灵活性。

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