罗姆的第 4 代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”）用于其纯电动汽车（以下简称“EV”）的逆变器。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202212/441854.htm
在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电动化进程加速，在这种背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对碳化硅功率元器件寄予厚望。
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罗姆自2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET以来，在SiC功率元器件技术开发方面，始终保持着业界先进地位。其中，新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受时间，并实现了业界超低的导通电阻。在车载逆变器中采用该产品时，与使用IGBT时相比，电耗可以减少6%（按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算），非常有助于延长电动汽车的续航里程。
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日立安斯泰莫多年来一直致力于汽车用电机和逆变器相关的先进技术开发，并且已经为日益普及的EV提供了大量的产品，在该领域拥有骄人的市场业绩。此次，为了进一步提高逆变器的性能，日立安斯泰莫首次在主驱逆变器的电路中采用了SiC功率器件，并计划从2025年起，依次向包括日本汽车制造商在内的全球汽车制造商供应相应的逆变器产品。
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未来，罗姆将作为SiC功率元器件的领军企业，不断壮大产品阵容，并结合能够更大限度地激发元器件性能的控制IC等外围元器件技术优势，持续提供有助于汽车技术创新的电源解决方案。
