三星逆周期大扩产

不畏半导体景气修正，三星逆势大扩产，锁定先进制程晶圆代工与存储器，急追台积电，同时也恐打乱存储器市场复苏脚步，牵动南亚科、华邦等台厂后市。

法人指出，台积电、英特尔、SK海力士、美光、南亚科等国际半导体大厂因应市况调整，已陆续下修资本支出，三星却逆势操作，不仅存储器扩产不踩刹车，晶圆代工也因基期低而大举在韩国与美国扩产，牵动全球半导体产业发展。

彭博资讯引述首尔经济日报报道，三星位于南韩平泽的P3厂将扩增DRAM设备，每月可生产7万片的12吋晶圆，高于目前P3厂DRAM产线的每月2万片产能。三星将使用新的设备生产12纳米DRAM，截至第3季，三星每月的DRAM晶圆总产量为66.5万片，以增产7万片计算，增幅达10.5%，手笔不小。

另一方面，报道指出，三星也规划将P3厂每月晶圆代工产量提高3万片，并增加4纳米产能，强攻先进制程。截至第3季，三星的每月晶圆代工总产量为47.6万片，换算增幅约6.3%。因应存储器与晶圆代工先进新产能需求，三星将新增至少10台极紫外光设备（EUV），目前三星已有约40台EUV，换算将增加25%。

业界认为，三星晶圆代工因产能约五成自用与约五成对外接单而呈现供不应求，其4纳米制程已在本季陆续扩产到位。即便三星在先进制程产能规模仍仅约龙头台积电的五分之一，但三星展现强烈企图心追赶台积电。

韩国媒体infostockdaily报道，三星晶圆代工4纳米制程先前已将良率提升至近约六成，随客户需求提升而决议扩充，相关投资挹注下，三星晶圆代工在4纳米投资将达约5万亿韩元（约40亿美元）。

存储器方面，受智能手机、PC等需求疲软冲击，DRAM和储存型快闪存储器（NAND Flash）价格持续走跌，尽管其他原厂和台厂都祭出减产和缩减资本支出的策略，但业界龙头三星始终逆势运作，虽然有助于三星本身规模扩张，但对整体存储器市场而言并非好事，不仅会拖延库存去化的时间，也会使得相关同业营运更具压力。

市调机构Omdia统计，三星在全球DRAM市场市占率节节攀升，从2021年第4季的41.9%，今年第2季扩大到43.4%，稳居龙头。NAND Flash方面，三星今年第2季市占率达33.3%，排名第一。

今年以来，DRAM与NAND Flash报价跌跌不休，美光上季财报更陷入亏损，并预告本季面临连两季亏损压力，南亚科也坦言，本季可能陷入亏损。存储器业界原本预期，随着主要制造商减产、调降资本支出，市场可望在明年中过后逐步回归正轨，如今三星又砸钱扩产，使得产业复苏步调出现变数。