三星电子计划将于明年扩大芯片产能

　　根据相关数据统计，截至今年Q2季度三星电子占据43.5%的DRAM芯片市场份额，其次是韩国SK海力士公司占有27.4%的份额，美国美光科技公司约占24.5%。

　　业内的分析师认为三星坚持投资计划可能有助于其在内存芯片领域占据市场份额，并在需求复苏时支撑其股价。

　　目前三星电子计划扩建其位于韩国平泽市的P3工厂，增加12英寸DRAM内存芯片晶圆产能。

　　除此之外三星还计划扩大工厂，增加4nm芯片产能，这将根据代工合同进行，也就是根据客户的设计，今年开始生产尖端NAND闪存芯片的P3是该公司最大的芯片制造工厂。

　　据悉，三星电子目前打算明年至少增加10台极紫外机器，之前曾表示不考虑有意削减芯片产量，这与整个行业缩减产量以满足中长期需求的趋势背道而驰。

　　三星内存业务执行副总裁韩金满表示支持最初的基础设施投资计划。竞争对手美光科技上周表示将把2023财年的投资从2022财年的120亿美元下调至70亿至75亿美元。

　　台湾芯片制造商台积电也在2个月前将今年的年度投资预算削减了至少10%，并对即将到来的需求发表了比往常更为谨慎的声明。